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SI8800EDB-T2-E1 发布时间 时间:2025/5/31 2:53:54 查看 阅读:14

SI8800EDB-T2-E1 是一款由 Silicon Labs 提供的隔离式栅极驱动器,采用小型 SOIC-16 封装。该芯片专为高性能功率转换应用而设计,能够提供高可靠性、高速度和低功耗的隔离性能。
  其主要功能是通过电气隔离来驱动外部功率开关器件(如 MOSFET 或 IGBT),从而实现安全且高效的功率传输控制。该系列器件内置了增强型电容隔离技术,确保系统能够在高压环境下稳定运行。

参数

工作电压:4.5V 至 5.5V
  最大输出电流:4A(峰值)
  最小脉冲宽度:40ns
  共模瞬态抗扰度:±100kV/μs
  隔离电压:2500VRMS(一分钟)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  传播延迟:75ns(典型值)
  通道数:双通道

特性

SI8800EDB-T2-E1 提供了强大的电气隔离能力,支持高达 2500VRMS 的隔离电压,适用于工业级和汽车级应用环境。
  该芯片具有非常低的传播延迟(仅 75ns),可显著提高系统的动态响应速度。此外,它还具备出色的共模瞬态抗扰度(±100kV/μs),即使在嘈杂的电磁环境中也能保持稳定的性能。
  为了提升效率和减少热量生成,该芯片采用了高效能驱动电路设计,能够以较低的功耗驱动大电流负载。同时,其短路保护和过温关断功能也增强了整体的安全性。

应用

该芯片广泛应用于需要电气隔离的场合,例如:
  1. 工业电机驱动中的功率级控制
  2. 太阳能逆变器的高频开关电路
  3. 电动汽车牵引逆变器
  4. 高压 DC-DC 转换器
  5. UPS 不间断电源系统
  6. LED 照明驱动器
  这些应用场景通常要求高度可靠的隔离性能以及快速的信号传输能力,而 SI8800EDB-T2-E1 完全满足这些需求。

替代型号

SI8801EDB-T2-E1
  SI8802EDB-T2-E1
  ADuM4120
  ISO5852S

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SI8800EDB-T2-E1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.3nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大500mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-XFBGA,CSPBGA
  • 供应商设备封装4-Microfoot
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI8800EDB-T2-E1TR