型号：SI8710AD-B-IS
　　通道数：1
　　数据速率：10 Mbps
　　隔离电压：5000 VRMS
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　电源电压（VCC）：2.7V 至 5.5V
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　输出类型：推挽式
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>50 kV/μs
　　封装类型：SOIC-8
　　安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE 0884-10（增强型隔离）
　　传播延迟：典型值 60 ns
　　脉冲宽度失真：≤50 ns
　　寿命：>100 年（基于加速老化测试）

SI8710AD-B-IS的核心特性之一是采用了基于CMOS的电容隔离技术，利用硅基二氧化硅（SiO2）作为介电材料实现输入与输出之间的电气隔离。这种结构避免了传统光耦中LED发光效率随时间衰减的问题，从根本上消除了器件老化带来的性能下降风险，从而显著提升了长期运行的可靠性。该技术还使得器件能够在宽温度范围内保持稳定的传输特性，不会出现光耦常见的温度漂移问题。其高速传输能力支持高达10 Mbps的数据速率，远超大多数传统光耦，适用于实时性要求高的控制系统，如伺服驱动器、PLC模块和数字电源管理。
　　另一个关键特性是其优异的抗干扰能力。SI8710AD-B-IS具有极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值超过50 kV/μs，这意味着即使在存在快速电压跳变的高压环境中（例如逆变器或电机驱动桥臂），也能有效防止误触发或信号畸变，确保数据传输的完整性。此外，该器件内置故障检测机制，在输入侧断电或信号中断时，输出端会自动进入低电平状态，这一“失效安全”（fail-safe）设计增强了系统的安全性，特别适用于工业安全控制和冗余监测系统。
　　该芯片还具备低功耗优势，静态电流低至1.2 mA（典型值），同时支持宽电源电压范围（2.7V至5.5V），便于与多种逻辑电平接口匹配，无需外部电平转换器。推挽式输出结构提供强驱动能力，可直接驱动后级逻辑电路或栅极驱动器。SOIC-8封装不仅节省PCB空间，而且经过优化以满足爬电距离和电气间隙要求，满足IEC 60950、IEC 61010等安全规范。整体而言，SI8710AD-B-IS在速度、可靠性、寿命和安全性方面全面超越传统光耦，是现代高可靠性隔离方案的理想选择。

SI8710AD-B-IS广泛应用于各类需要电气隔离的高性能电子系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输入/输出模块，用于隔离现场传感器或执行器与主控单元之间的信号，防止地环路干扰和高压窜入损坏核心处理器。在电机控制和变频驱动系统中，该芯片可用于隔离微控制器与IGBT或MOSFET栅极驱动器之间的PWM信号，确保控制信号的准确传递，同时保护低压侧电路免受高压侧开关噪声的影响。
　　在开关电源设计中，SI8710AD-B-IS被用作反馈回路中的隔离元件，尤其是在数字电源和服务器电源中，用于将次级侧的电压或电流采样信号隔离传输至初级侧的控制器，实现精确稳压和保护功能。由于其高速响应能力，也适用于谐振变换器和LLC拓扑中的同步整流控制信号隔离。
　　在通信接口方面，该器件可用于RS-485、CAN总线等差分通信线路的隔离，提升系统的抗干扰能力和节点间的电气独立性，常见于工业以太网网关、现场总线模块和远程IO系统。此外，在测试与测量设备、医疗电子以及新能源系统（如光伏逆变器、储能系统）中，SI8710AD-B-IS也被广泛采用，用于隔离模拟采集前端、数字控制信号或通信链路，确保操作人员和设备的安全。得益于其AEC-Q100认证，该芯片还可用于汽车电子中的车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）和DC-DC转换器中的信号隔离。

SI8610BB-D-ISR
　　ISO721DR
　　ADM3053BRWZ