型号：SI8660BC-AS1
　　制造商：Silicon Labs
　　通道数：6
　　通道方向配置：可配置（例如3个正向 + 3个反向）
　　数据速率：最高150 Mbps
　　供电电压（VCC）：2.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压：5000 V RMS（1分钟，符合 UL 1577）
　　瞬态共模抑制（CMTI）：>50 kV/μs
　　传播延迟：典型值 15 ns
　　脉冲宽度失真：≤5 ns
　　电源电流（每通道）：2.5 mA（典型值）
　　封装类型：SOIC-16（宽体，0.3英寸）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5（VDE 0884-10）、CSA Component Acceptance Notice #5
　　爬电距离：>8 mm
　　电气间隙：>8 mm
　　隔离寿命：>60年（在工作条件下）

SI8660BC-AS1采用Silicon Labs先进的数字电容隔离技术，通过在硅基芯片上构建微型高压电容器来实现信号跨隔离层的高速传输。这种结构相比传统的光耦合器避免了LED老化问题，显著提升了器件的长期稳定性与可靠性。每个通道均内置高频载波调制电路、隔离电容阵列、解调器及输出缓冲级，能够准确还原输入信号并保证极低的抖动和时序误差。该技术还使得芯片能够在宽电压范围内正常工作，适应2.5V至5.5V的逻辑电平系统，支持跨不同电压域的信号隔离，例如将3.3V MCU与5V外设进行隔离通信。
　　六通道的高度集成设计允许用户灵活配置各通道的方向（输入或输出），满足复杂系统中双向控制信号（如SPI、I2C、GPIO扩展）的隔离需求。例如，在电机控制系统中，可以同时隔离PWM控制信号、反馈信号和故障报警线。所有通道之间以及输入与输出之间均具有高隔离阻抗和低寄生电容，有效抑制接地环路干扰和共模噪声传导。
　　该器件具备优异的电磁兼容性（EMC）表现，即使在强电磁干扰环境下也能保持稳定运行。其高共模瞬态抗扰度（CMTI > 50 kV/μs）意味着即使在快速电压跳变（如逆变器开关瞬间）的情况下，也不会产生误触发或信号畸变。这一特性使其非常适合用于变频器、伺服驱动器和光伏逆变器等电力电子应用。
　　SI8660BC-AS1还集成了多项保护功能，包括失效安全输出模式（在输入侧断电时输出保持确定状态）、宽工作温度范围支持以及低功耗待机能力。相比传统光耦，其静态功耗降低达80%，有助于提升整个系统的能效水平。此外，其长达60年以上的预期隔离寿命远超光耦的典型寿命（通常为10年左右），减少了维护和更换成本，特别适合部署在难以维修的关键基础设施中。

SI8660BC-AS1凭借其高性能、高可靠性和多通道集成优势，被广泛应用于多个工业和技术领域。在工业自动化系统中，常用于PLC模块中的数字I/O隔离，确保控制器与现场传感器或执行器之间的电气安全隔离，防止因高压窜入导致主控单元损坏。在电机驱动和伺服控制系统中，该芯片可用于隔离微处理器发出的PWM信号与功率桥驱动电路，同时将电流、位置等反馈信号安全地传回控制端，保障系统安全与精度。
　　在电源管理系统中，尤其是隔离型DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，SI8660BC-AS1可用于隔离反馈环路信号（如电压、电流采样）和控制信号（如使能、同步信号），提高系统的响应速度与稳定性。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该芯片用于隔离MCU与IGBT/MOSFET驱动器之间的通信信号，抵抗来自功率开关的高频噪声干扰，确保控制指令准确送达。
　　医疗电子设备对电气隔离有严格要求，以保障患者安全。SI8660BC-AS1符合多项医疗安全标准，可用于病人连接型设备中的信号隔离，如监护仪、透析机和医用电源中，防止漏电流危害。
　　此外，该芯片也适用于通信接口隔离，如RS-485、CAN总线等，在长距离传输中消除地电位差带来的影响，增强网络鲁棒性。其高数据速率特性还可支持高速数字接口隔离，如隔离式ADC前端、编码器接口等高端应用场景。

ISO6761-Q1
　　ADM3260BRWZ