时间：2025/12/27 6:50:25
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Silicon Labs 的 SI8652ED-AS 是一款高性能、双通道数字隔离器，采用先进的 CMOS 工艺和电容隔离技术设计而成，旨在为工业、通信和电源系统提供安全可靠的信号隔离解决方案。该器件具备两个独立的隔离通道，均配置为非反相逻辑方向，支持高速数据传输，最大数据速率可达 150 Mbps，适用于需要高带宽和低传播延迟的应用场景。SI8652ED-AS 通过其集成的射频载波调制技术和差分电容耦合结构，在输入和输出之间实现电气隔离，有效阻断接地环路、抑制共模噪声并防止高压瞬态对敏感电路造成损害。该芯片支持 3.0 V 至 5.5 V 的宽电源电压范围，兼容多种逻辑电平，包括 LVTTL 和 CMOS，便于与微控制器、FPGA、ADC/DAC 或其他数字系统接口无缝集成。此外，SI8652ED-AS 具备出色的电磁兼容性（EMC）性能，能够承受高工作电压（最高达 1000 VPK），并符合 UL、CSA、VDE 和 CQC 等国际安全标准，适合在严苛的工业环境中长期稳定运行。
型号：SI8652ED-AS
通道数：2
通道方向：双通道非反相
数据速率：150 Mbps（最大）
供电电压（VDD）：3.0 V 至 5.5 V
隔离耐压：5000 VRMS（1 分钟，UL 1577）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
传播延迟：典型值 15 ns
脉冲宽度失真：典型值 3 ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs（最小）
封装类型：SOIC-8 宽体（DWB）
认证标准：UL 1577、IEC 60747-5-2（VDE 0884-10）、GB/T 17626.4
SI8652ED-AS 采用 Silicon Labs 独有的电容隔离技术，利用高频调制信号通过微型片上电容器进行跨隔离传输，实现了优异的信号完整性和能效表现。每个通道将输入端的数字信号转换为高频载波信号，经由集成在硅基上的高击穿强度二氧化硅（SiO2）电容层耦合至次级侧，再由接收电路解调还原为原始逻辑电平输出。这种架构不仅避免了传统光耦中LED老化导致的性能衰减问题，还显著降低了功耗和启动时间，同时提升了长期可靠性。该器件具备极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），即使在存在快速电压变化的噪声环境中也能保持稳定的数据传输，适用于电机驱动、逆变器、PLC 模块等高干扰场合。
该芯片内部集成了去抖动滤波器和故障保护机制，当输入端悬空或出现信号中断时，输出端可自动进入预定义的安全状态（默认高或低，取决于具体版本），从而防止系统误操作。其低传播延迟和通道间匹配特性确保了多路信号同步传输的精确性，适用于 PWM 控制、编码器反馈和串行通信接口（如 SPI、I2C、UART）的隔离。此外，SI8652ED-AS 支持双向数据流配置（需外部电路配合），进一步扩展了应用灵活性。器件符合 RoHS 标准，无卤素，并通过 AEC-Q100 认证，可用于汽车电子系统中的电池管理系统（BMS）和车载充电器等关键模块。其 SOIC-8 宽体封装提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足增强型绝缘要求，适用于医疗设备和可再生能源系统。
SI8652ED-AS 广泛应用于需要高可靠性数字隔离的工业自动化与电力电子系统中。在可再生能源领域，它常用于太阳能逆变器和风力发电控制器中，实现控制侧与功率开关器件（如 IGBT 或 MOSFET）之间的隔离驱动信号传输，确保主电路高压不会影响低压控制单元。在工业电机驱动系统中，该器件用于隔离来自微控制器的 PWM 信号，以驱动栅极驱动器，同时防止因电机反电动势引起的地电位波动干扰控制系统。
在工厂自动化设备如 PLC（可编程逻辑控制器）和 I/O 模块中，SI8652ED-AS 被用来隔离数字输入/输出信号，提升系统抗干扰能力和安全性。其高速性能也使其适用于工业通信接口的隔离，例如 RS-485、CAN 总线和 Profibus 系统中，保障数据链路在长距离传输下的完整性。此外，在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中，该芯片可用于反馈环路的隔离，替代传统光耦，提供更稳定、响应更快的电压调节能力。
在电动汽车和储能系统中，SI8652ED-AS 可用于电池管理系统（BMS）中，隔离单体电压采集模块与主控 MCU 之间的通信信号，确保高压电池组与人员操作区域之间的电气隔离。其高 CMTI 特性特别适合在频繁开关的大功率拓扑结构中使用，例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的驱动电路。此外，该器件还可用于医疗仪器、测试测量设备以及需要功能安全认证（如 IEC 61508）的系统中，作为核心隔离元件保障人身与设备安全。
ISO6721FDBVR
ADuM120N0BRZ
