型号：SI8650BD
　　通道数：5
　　通道方向配置：3/2
　　数据速率：150 Mbps
　　隔离耐压：5000 Vrms
　　工作电压：2.5V - 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：100 kV/μs
　　安全认证：UL 1577，IEC 60747-5-2，VDE 0884-10
　　传播延迟：典型值 15 ns
　　电源电流：每通道典型 1.2 mA
　　爬电距离：8 mm
　　间隙距离：8 mm

SI8650BD 的核心特性之一是其基于电容隔离技术的高可靠性信号隔离机制。该技术利用高频调制将数字信号跨过微型片上电容进行传输，相比传统的光耦合器，具有更高的速度、更长的寿命和更低的功耗。这种电容结构不仅提供了优异的抗老化性能，还避免了LED衰减问题，从而保证了长期工作的稳定性。该器件具备高达100 kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），在存在强烈电磁干扰或快速电压跳变的环境中，能够有效防止误触发或数据错误，这对于电机驱动、逆变器和开关电源等应用至关重要。
　　另一个显著特点是其低传播延迟和高数据速率支持。SI8650BD 的典型传播延迟仅为15 ns，最大不超过30 ns，使得它非常适合用于实时控制系统中对时序要求严格的场景，如数字功率转换中的PWM信号隔离。其150 Mbps的数据速率远超传统光耦，允许在SPI、UART或编码器反馈等高速接口中实现无瓶颈通信。此外，该芯片采用SOIC-16宽体封装，提供8 mm的爬电距离和间隙距离，满足增强绝缘要求，适用于需要高隔离等级的安全关键系统。
　　SI8650BD 还具备出色的温度稳定性和低功耗特性。其工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，确保在极端环境条件下依然可靠运行。每个通道的静态电流仅为约1.2 mA，显著低于许多同类隔离器件，有助于降低系统整体功耗，特别适用于紧凑型、高密度的电源模块或便携式工业设备。此外，该器件集成了故障安全输出模式，在输入信号丢失或断电情况下可保持输出端处于确定状态，增强了系统的鲁棒性。最后，SI8650BD 通过了UL、CSA、VDE和CQC等多项国际安全认证，符合IEC 60747-5-2标准，支持长达25年的使用寿命，使其成为工业自动化、新能源发电、电动汽车充电设施等领域中理想的数字隔离解决方案。

SI8650BD 被广泛应用于多个高要求的技术领域。在工业自动化系统中，常用于PLC模块、数字I/O隔离板以及现场总线通信接口中，实现控制器与执行器之间的电气隔离，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电源管理系统中，该器件可用于隔离DC-DC转换器的反馈回路、数字电源中的PWM控制信号传输，以及服务器电源、电信整流器等高端电源设备中的监控电路。在可再生能源领域，SI8650BD 经常出现在光伏逆变器和风力发电变流器中，用于隔离传感器信号、栅极驱动器通信和串行数据链路，以保障高压侧与低压控制侧的安全交互。
　　在电动汽车基础设施中，该芯片可用于车载充电机（OBC）、充电桩控制板以及电池管理系统（BMS）中的通信隔离，支持CAN、RS-485或SPI等协议的隔离传输，提升系统的安全等级和抗干扰能力。此外，在医疗电子设备中，由于其符合严格的绝缘和安全标准，SI8650BD 可用于病人连接型设备中的信号隔离，如监护仪、透析机或医用电源，确保患者安全并满足医疗认证要求。在测试与测量仪器中，该器件有助于构建高精度、低噪声的数据采集前端，隔离探头或传感器信号，避免共模电压影响测量结果。总之，SI8650BD 凭借其高性能、高可靠性和全面认证，已成为现代电子系统中实现安全隔离通信的关键组件之一。

ISO7741FDBQR