SI8622EC-B-ISR 是一款由 Silicon Labs 提供的隔离式栅极驱动器芯片,专为高电压应用而设计。该器件支持高达 5 kV 的电气隔离能力,并具备快速开关性能,适用于 IGBT、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 等功率半导体的驱动需求。
该芯片集成了两个独立的通道,可分别用于高端和低端驱动。其内部采用了先进的电容隔离技术,确保信号在高压环境下的可靠传输。此外,SI8622EC-B-ISR 具备低传播延迟、短延迟匹配以及高共模瞬态抗扰度(CMTI)等特性,能够满足工业和汽车领域对可靠性和效率的要求。
工作电压:3.0 V 至 5.5 V
隔离电压:5 kV RMS (1 分钟)
最大输出电流:4 A
传播延迟:50 ns (典型值)
延迟匹配:10 ns (最大值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOIC-16
共模瞬态抗扰度:±100 kV/μs
1. 高达 5 kV 的电气隔离能力,确保在高压环境下安全运行。
2. 快速开关性能,适合高频功率转换应用。
3. 内置短路保护和去饱和检测功能,提高系统可靠性。
4. 支持多种功率半导体器件驱动,如 IGBT、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。
5. 集成负压尖峰抑制电路,减少外部元件需求。
6. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境条件。
7. 符合 UL1577 和 VDE 认证标准,保障产品安全性。
1. 电动汽车电机控制和车载充电器。
2. 工业变频器和伺服驱动器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 不间断电源(UPS)和电信电源。
5. LED 驱动和照明控制系统。
6. 高效 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
7. 家用电器中的功率转换模块。
SI8622ED-B-IS, SI8622EC-B-IS