型号：Si8622EB-B-IS
　　制造商：Silicon Labs
　　通道数：2
　　方向配置：双通道双向
　　数据速率：最高支持150 Mbps
　　隔离耐压：5000 Vrms（1分钟，UL 1577）
　　工作电压：3.0V 至 5.5V（VDD1 和 VDD2）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　传播延迟：典型值 15ns（最大 35ns）
　　脉冲宽度失真：典型值 <3ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs（典型值）
　　电源电流：每通道典型值 1.2mA @ 5V，100kbps
　　封装类型：SOIC-8（宽体）
　　爬电距离：>8mm
　　绝缘厚度：0.001英寸以上
　　安全认证：UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17

Si8622EB-B-IS 采用Silicon Labs先进的电容隔离技术，通过在硅基板上集成微小的高压电容器实现信号跨隔离栅的高速传输。这种基于CMOS的工艺不仅提升了器件的集成度与可靠性，还显著降低了传统光耦合器存在的老化、温度漂移和速度限制等问题。该芯片内部包含两个完全独立的隔离通道，每个通道均可支持双向数据传输，无需指定固定方向，极大增强了设计灵活性。其高达150 Mbps的数据速率使其适用于高速通信接口隔离，如SPI、I2C、UART等数字总线的隔离应用。
　　该器件具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），达到±150 kV/μs，确保在存在强烈电磁干扰或快速电压变化的工业环境中仍能保持信号完整性，避免误触发或数据丢失。同时，其极低的传播延迟（典型值15ns）和优异的通道间匹配性能，保证了多路信号同步传输的精度，特别适合用于电机控制中的PWM信号隔离或编码器反馈信号传输。
　　Si8622EB-B-IS 支持宽电源电压范围（3.0V~5.5V），允许其在不同逻辑电平系统之间进行电平转换，兼容3.3V与5V混合供电系统。片内集成了上电复位电路和故障安全输出机制，在电源未稳定或掉电情况下可自动将输出置为确定状态，防止下游电路误动作。此外，该芯片具有极低的静态功耗和动态功耗，有助于降低系统整体能耗，延长设备使用寿命，尤其适用于隔离式开关电源和电池供电设备。
　　在安全性方面，Si8622EB-B-IS 符合多项国际安全标准，包括UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17，并获得VDE认证，支持高达5000 Vrms的隔离电压，满足功能隔离和加强隔离的设计需求。其宽体SOIC-8封装提供了足够的爬电距离和电气间隙，增强了长期工作的可靠性和抗污染能力。总体而言，Si8622EB-B-IS 是一款高性能、高可靠性、易于使用的数字隔离解决方案，适用于各种严苛工业环境下的信号隔离需求。

Si8622EB-B-IS 被广泛应用于需要高可靠性和高性能电气隔离的电子系统中。常见应用包括工业自动化控制系统中的PLC模块、远程I/O节点以及现场总线接口，用于隔离数字输入/输出信号以防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电机驱动和逆变器系统中，该芯片常用于隔离来自微控制器的PWM控制信号，确保功率级与控制级之间的安全隔离，同时保持精确的时序控制。
　　在电源管理系统中，Si8622EB-B-IS 可用于隔离DC-DC转换器的反馈环路或数字监控接口，实现远程监测与调节功能。它也适用于隔离式ADC或DAC前端电路，保障敏感模拟电路不受数字噪声影响。在通信接口领域，该器件可用于RS-485、CAN、I2C、SPI等总线的隔离设计，提升系统的抗干扰能力和通信稳定性，尤其是在长距离或多节点通信场景下表现优异。
　　此外，Si8622EB-B-IS 还可用于医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断设备等，满足医疗设备对电气安全和绝缘性能的严格要求。在新能源领域，如太阳能逆变器、电动汽车充电控制系统中，该芯片同样发挥着关键作用，用于隔离传感器信号、控制信号和通信链路，保障系统在高压环境下的安全运行。其宽温范围和高可靠性也使其适用于户外设备、轨道交通和智能电网等复杂工况环境。

Si8622AB-B-IS
　　ADuM120N0BRZ
　　ISO7221ADBR