型号：Si8621BB
　　通道数：1
　　方向：单向
　　数据速率：150 Mbps
　　隔离耐压：2.5 kVRMS
　　工作电压范围：2.5V 至 5.5V
　　温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>50 kV/μs
　　传播延迟：<20 ns
　　电源电流：2.0 mA（典型值）
　　上升/下降时间：<3 ns

Si8621BB采用Silicon Labs先进的电容隔离技术，利用高频载波调制方式将数字信号跨过隔离栅进行传输。该技术通过在硅片上构建高介电强度的二氧化硅（SiO2）电容层作为隔离介质，具有极高的绝缘性能和长期可靠性。相比传统的光耦合器，Si8621BB无需发光二极管和光电晶体管，因此不存在老化问题，寿命更长，且温度稳定性更好。其高速CMOS工艺支持高达150 Mbps的数据速率，能够满足高速通信接口如SPI、I2C、UART和GPIO等的隔离需求。
　　该芯片内置精确的时序控制电路，确保低传播延迟和极小的脉宽失真，从而保证信号完整性。其共模瞬态抗扰度（CMTI）超过50 kV/μs，在存在强烈电磁干扰或快速电压变化的工业环境中仍能保持稳定运行。此外，Si8621BB具备低功耗特性，电源电流仅为2.0 mA左右，有助于降低系统整体能耗，特别适合电池供电或对能效要求较高的应用。
　　在安全性方面，Si8621BB通过了多项国际安全标准认证，包括UL 1577、IEC/EN 60747-17以及VDE 0884-10等，支持2.5 kVRMS的持续隔离耐压，可承受最高10 kV的浪涌电压，确保在高压故障条件下保护下游电路和操作人员。其SOIC-8封装不仅体积小巧，还优化了爬电距离和电气间隙，进一步提升绝缘性能。此外，该器件引脚兼容部分行业标准产品，便于替换和升级现有设计。
　　Si8621BB还具备优异的温度适应性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内正常工作，适用于高温工业环境或低温户外设备。所有输入和输出引脚均具备±4 kV HBM ESD保护，增强了器件在生产、装配和使用过程中的抗静电能力。整体设计注重可靠性、速度与能效的平衡，使其成为现代隔离方案中的理想选择。

Si8621BB广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、数字I/O隔离、传感器接口和现场总线通信中，防止地环路干扰和高压窜入导致控制系统损坏。在电源管理应用中，可用于隔离DC-DC转换器的反馈信号或驱动信号，提高系统的安全性和稳定性，尤其适用于隔离式开关电源和服务器电源设计。
　　在电机驱动和逆变器系统中，Si8621BB可用于隔离微控制器与功率桥臂之间的控制信号，如PWM信号传输，确保低压控制侧与高压功率侧之间实现可靠隔离，避免因电压差造成的设备故障。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电桩中，该芯片可用于通信接口隔离，保障数据传输的准确性与人身安全。
　　通信系统中，Si8621BB可用于RS-485、CAN总线等差分通信线路的信号隔离，消除不同节点间的电位差影响，提升通信可靠性。在医疗电子设备中，由于其符合严格的安全隔离标准，可用于病人连接设备的信号隔离，满足医疗安规要求。此外，在测试与测量仪器、工业网关、IoT网关和智能电表等设备中，Si8621BB也发挥着关键作用，确保系统在复杂电磁环境下仍能稳定运行。

ISO6721
　　ADuM1401
　　SI8620BC