型号：Si8440-C
　　通道数：4
　　通道方向配置：3 + 1 或 1 + 3
　　数据速率：最高150 Mbps
　　供电电压（VDD）：3.0 V 至 5.5 V
　　隔离电压（RMS）：2500 Vrms（持续工作）
　　峰值隔离电压：6000 Vpk
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16（宽体）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10、CQC
　　传播延迟：典型值 10 ns
　　上升/下降时间：典型值 3 ns
　　静态电流：每通道小于 1 mA
　　绝缘材料：聚酰亚胺介电层

Si8440-C采用Silicon Labs专有的电容隔离技术，利用高频调制和差分电容耦合原理实现信号跨隔离栅的高速传输。这种架构相较于传统光耦合器具有明显优势：首先，它避免了LED老化导致的性能衰减问题，从而提供更长的使用寿命和更高的长期稳定性；其次，其响应速度快，能够支持高达150 Mbps的数据速率，适用于SPI、I2C、UART、CAN等多种数字接口应用。该器件内部集成了精确的定时控制电路和噪声滤波机制，确保在高共模瞬态干扰（CMTI）环境下仍能保持信号完整性，其CMTI指标达到±100 kV/μs，远超行业平均水平，有效防止误触发或数据错误。
　　另一个关键特性是低功耗表现。由于没有光子转换过程中的能量损失，Si8440-C的静态电流极低，每通道通常低于1 mA，在待机或低负载状态下进一步降低功耗，非常适合用于电池供电或能效敏感的应用场景。此外，该器件支持宽电压操作范围（3.0V–5.5V），可直接与3.3V或5V逻辑系统无缝对接，无需电平转换电路。所有输入和输出引脚均具备施密特触发器输入迟滞功能，增强了抗噪声能力，尤其适用于长线传输或电磁干扰较强的工业现场。
　　Si8440-C还通过了多项国际安全认证，包括UL、VDE和CQC等，表明其在绝缘性能、耐压能力和使用寿命方面符合高标准要求。其聚酰亚胺绝缘层提供了优异的电气隔离性能和热稳定性，能够在高温高湿环境中长期可靠运行。制造工艺采用晶圆级测试和筛选流程，保证出厂产品的高一致性和可靠性。整体而言，Si8440-C是一款集高性能、高可靠性与易用性于一体的现代数字隔离解决方案，适用于替代传统光耦并提升系统整体性能。

Si8440-C广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中，尤其是在工业自动化与控制领域，常用于PLC模块、数字I/O隔离、现场总线接口和传感器信号调理电路中，以防止地电位差引起的干扰和损坏。在电源管理系统中，该器件可用于隔离DC-DC转换器的反馈环路、PWM控制信号传输以及同步整流驱动电路，确保主控侧与高压功率侧之间的安全通信。电机驱动系统也大量采用Si8440-C来隔离微控制器发出的控制信号与逆变桥（如IGBT或MOSFET）之间的驱动信号，提升系统的抗扰能力和安全性。
　　在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电设备中，Si8440-C被用于隔离监测电路与主控单元之间的通信链路，保障高压直流母线与低压控制电路的安全隔离。其高CMTI性能特别适合在开关频率高、dv/dt应力大的电力电子环境中稳定工作。通信接口方面，该器件可用于隔离RS-485、CAN、I2C和SPI总线，防止不同节点间的地环路干扰，提升网络通信的可靠性。此外，在医疗电子设备中，Si8440-C可用于实现患者连接部分与主控系统之间的电气隔离，满足医疗安全标准对漏电流和绝缘强度的要求。
　　测试与测量仪器同样受益于Si8440-C的高精度和低延迟特性，可用于数据采集系统的前端隔离，确保高分辨率ADC或多通道采集模块在复杂电磁环境下的准确采样。由于其小型化封装和高集成度，也适用于空间受限的嵌入式系统设计。总体来看，Si8440-C凭借其高速、高可靠性、宽温工作能力和多重安全认证，已成为现代电子系统中实现数字信号隔离的理想选择之一。

Si8441BC-B-IP, ADuM1401, ISO7741, MAX14850, Si8640