时间：2025/12/27 5:46:12
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Si8401AB-B-IS是一款由Silicon Labs（芯科科技）推出的高性能单通道数字隔离器芯片。该器件基于Silicon Labs专有的电容隔离技术，能够提供优异的抗噪声性能和高可靠性，适用于需要在恶劣电气环境中实现安全信号隔离的应用场景。Si8401AB-B-IS采用先进的CMOS制造工艺，具有低功耗、高数据速率和长寿命等优势，相较于传统的光耦合器，它在速度、功耗、尺寸和可靠性方面均有显著提升。该芯片广泛应用于工业自动化、电源管理、电机控制、通信系统以及医疗设备中，用于隔离数字信号线路，防止接地环路干扰、电压瞬变和噪声传播。其封装形式为窄体SOIC-8，符合行业标准引脚布局，便于PCB设计和替换传统光耦。此外，Si8401AB-B-IS通过了多个国际安全认证，包括UL、CSA、VDE和CQC，确保其在各种严苛应用中的合规性和安全性。该器件工作温度范围宽，支持-40°C至+125°C的工业级环境，适合在极端条件下稳定运行。由于其出色的时序特性、低传播延迟和高共模瞬态抗扰度（CMTI），Si8401AB-B-IS成为现代隔离解决方案中的优选器件之一。
型号：Si8401AB-B-IS
通道数：1
方向：单向
数据速率：150 Mbps
隔离耐压：2500 Vrms
工作电压：2.7V 至 5.5V
逻辑侧供电电压：2.7V 至 5.5V
隔离电压时间：1 分钟
共模瞬态抗扰度（CMTI）：50 kV/μs
传播延迟：典型值 12 ns
脉冲宽度失真：典型值 3 ns
静态电流：典型值 1.2 mA
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：SOIC-8
安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE 0884-10（增强型隔离）、CQC 认证
爬电距离：>8 mm
电气间隙：>8 mm
Si8401AB-B-IS采用Silicon Labs自主研发的电容隔离技术，利用高频调制信号穿过微型片上电容器来传输数据，从而实现输入与输出之间的电气隔离。这种架构避免了传统光耦中LED老化、温度漂移和速度受限的问题，提供了更高的长期稳定性和可靠性。该器件内部集成了射频振荡器、编码器、解码器和输出驱动电路，能够在高速下保持极低的传播延迟和抖动，支持高达150 Mbps的数据传输速率，适用于实时控制系统和高速通信接口。
该芯片具备卓越的共模瞬态抗扰度（CMTI），达到50 kV/μs，意味着即使在存在快速电压变化的高压环境中，如变频器或开关电源中，也能有效防止误触发或信号畸变，保障系统的正常运行。同时，其低功耗特性使得在待机或低负载状态下电流消耗极小，典型静态电流仅为1.2 mA，有助于提高整体系统能效，特别适合电池供电或对热管理要求严格的应用场景。
Si8401AB-B-IS支持宽电压供电范围（2.7V～5.5V），兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于与多种微控制器、FPGA和数字逻辑器件直接接口，无需额外的电平转换电路。其SOIC-8封装具有良好的散热性能和机械稳定性，并且满足IEC 60950、IEC 61010和IEC 60601等国际安全标准对增强型隔离的要求。此外，该器件无铅、符合RoHS环保规范，并具备高抗噪能力和EMI抑制能力，适合在复杂电磁环境中长期稳定工作。
Si8401AB-B-IS广泛应用于需要高可靠性和高性能信号隔离的工业与电子系统中。常见用途包括可编程逻辑控制器（PLC）、工业I/O模块、伺服驱动器和电机控制系统，其中用于隔离数字输入/输出信号，防止高压干扰进入敏感控制单元。在开关电源和DC-DC转换器中，该器件可用于反馈环路或PWM信号隔离，提升电源效率与安全性。其高速特性也使其适用于隔离式通信接口，如RS-485、CAN总线和SPI/I2C隔离，确保数据在不同地电位之间准确传输。
在新能源领域，Si8401AB-B-IS被用于光伏逆变器和电动汽车充电系统中的栅极驱动隔离和传感器信号调理，保障高压侧与低压控制侧的安全隔离。医疗设备中，因其通过CQC和VDE增强型隔离认证，常用于病人连接型设备的信号隔离，满足严格的电气安全要求。此外，在测试与测量仪器、工业网络网关以及智能电表中，该芯片也发挥着关键作用，提供稳定可靠的隔离通道，防止噪声耦合和地环路问题影响测量精度。其紧凑的封装和易于集成的特点，使其成为现代高密度PCB设计的理想选择。
ISO721
ADuM1100
SI8601BC-B-IS
