SI8281CD-IS是一款由Silicon Labs公司生产的高性能、隔离式双通道栅极驱动器IC。该芯片专为驱动MOSFET、IGBT等功率开关器件而设计,广泛应用于开关电源、逆变器、电机控制和太阳能逆变器等领域。SI8281CD-IS采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供高达5 kVRMS的隔离电压,确保了在高噪声和高电压环境下稳定可靠的工作。该芯片具有低传播延迟、高驱动能力和宽工作温度范围的特点,使其在工业和高可靠性应用中表现出色。
供电电压:2.5V至5.5V
输出驱动能力:拉电流/灌电流均为3.5A/4A
隔离电压:5 kVRMS(符合UL、VDE标准)
传播延迟:典型值为70ns
脉冲宽度失真:小于5ns
工作温度范围:-40°C至+125°C
输出通道数量:2
封装类型:8引脚SOIC(宽体)
SI8281CD-IS采用Silicon Labs的数字隔离技术,提供出色的抗噪能力和电气隔离性能,适用于高电压和高干扰环境。其双通道输出可独立配置为高边或低边驱动器,适用于半桥或全桥拓扑结构。该芯片具备欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于安全阈值时,会自动关闭输出以保护功率器件。此外,SI8281CD-IS具有快速的传播延迟和上升/下降时间,确保了高频开关应用中的高效性和稳定性。
芯片内部集成了故障保护机制,如过热保护和交叉传导保护,防止因异常条件导致的器件损坏。其宽输入电压范围支持与多种控制器的兼容性,提高了设计的灵活性。SI8281CD-IS的封装采用宽体SOIC设计,增强了爬电距离和电气安全性,符合工业标准。
SI8281CD-IS广泛应用于需要高可靠性和高隔离性能的功率电子系统中。常见应用包括DC-AC逆变器、电机驱动器、开关电源(SMPS)、UPS系统、太阳能逆变器和工业自动化设备。其优异的隔离特性和高驱动能力也使其适用于电动汽车充电系统、储能系统和智能电网设备等新兴领域。在这些应用中,SI8281CD-IS能够有效提高系统的效率和稳定性,同时简化电路设计并减少外围元件数量。
Si8285BD, ADuM4223-1, UCC21520, HCPL-J312