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SI8273DB-IS1R 发布时间 时间:2025/8/22 7:38:48 查看 阅读:11

SI8273DB-IS1R 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片。该芯片采用Silicon Labs的专有数字隔离技术,具有高绝缘耐压能力,适用于驱动MOSFET和IGBT等功率开关器件。SI8273DB-IS1R广泛应用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。

参数

类型:隔离式栅极驱动器
  通道数:2通道(双通道)
  隔离电压:5 kVRMS(符合UL、VDE标准)
  工作电压:2.5 V 至 5.5 V
  输出驱动能力:最大峰值电流为4.0 A
  传播延迟:典型值为65 ns
  上升/下降时间:典型值为15 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:8引脚SOIC宽体封装(Wide Body)
  安全认证:UL、CSA、VDE、CQC认证

特性

SI8273DB-IS1R具有多项优异性能和可靠性特点。其核心优势在于采用了Silicon Labs的数字隔离技术,提供了高达5 kV的电气隔离能力,确保了在高压环境下的安全运行。该芯片支持2.5V至5.5V的宽电压输入范围,适应性强,适用于多种电源系统设计。
  双通道结构设计允许独立控制两个功率开关,支持高边和低边应用,非常适合半桥和全桥拓扑结构。输出驱动能力高达4A峰值电流,可有效驱动大功率MOSFET和IGBT,减少开关损耗并提高系统效率。
  低传播延迟(典型值65 ns)和快速的上升/下降时间(典型15 ns),使得该芯片适用于高频开关应用,提升整体系统响应速度和稳定性。此外,SI8273DB-IS1R具备出色的抗干扰能力,可在高噪声环境中保持稳定运行。
  该芯片还内置故障保护机制,包括欠压锁定(UVLO)和热关断保护,有助于防止功率器件在异常情况下损坏,提高系统的可靠性和安全性。其8引脚宽体SOIC封装结构有助于提高PCB布局的灵活性,并满足严格的安规要求。

应用

SI8273DB-IS1R广泛应用于需要高压隔离和高效功率控制的系统中,如工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动车充电器、开关电源(SMPS)以及智能电网设备。在电机控制应用中,该芯片可用于构建高效可靠的半桥驱动电路;在太阳能逆变系统中,它能够驱动高频DC-AC转换器中的功率开关器件,提升能量转换效率;在电动汽车充电系统中,其高隔离耐压能力可有效保障系统安全运行。
  此外,该芯片也可用于各类功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、电焊设备和感应加热装置等工业电源系统中,作为功率开关器件的高效驱动解决方案。

替代型号

ADuM4223-1BRZ, UCC21520DWPG4, HCPL-J312, NCD57001DR2G

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SI8273DB-IS1R参数

  • 现有数量2,500现货
  • 价格1 : ¥42.77000剪切带(CT)2,500 : ¥23.49196卷带(TR)
  • 系列Si827x
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术射频耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)150kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)8ns
  • 上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns
  • 电流 - 输出高、低1.8A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电9.6V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE