SI8273DB-IS1R 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片。该芯片采用Silicon Labs的专有数字隔离技术,具有高绝缘耐压能力,适用于驱动MOSFET和IGBT等功率开关器件。SI8273DB-IS1R广泛应用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。
类型:隔离式栅极驱动器
通道数:2通道(双通道)
隔离电压:5 kVRMS(符合UL、VDE标准)
工作电压:2.5 V 至 5.5 V
输出驱动能力:最大峰值电流为4.0 A
传播延迟:典型值为65 ns
上升/下降时间:典型值为15 ns
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:8引脚SOIC宽体封装(Wide Body)
安全认证:UL、CSA、VDE、CQC认证
SI8273DB-IS1R具有多项优异性能和可靠性特点。其核心优势在于采用了Silicon Labs的数字隔离技术,提供了高达5 kV的电气隔离能力,确保了在高压环境下的安全运行。该芯片支持2.5V至5.5V的宽电压输入范围,适应性强,适用于多种电源系统设计。
双通道结构设计允许独立控制两个功率开关,支持高边和低边应用,非常适合半桥和全桥拓扑结构。输出驱动能力高达4A峰值电流,可有效驱动大功率MOSFET和IGBT,减少开关损耗并提高系统效率。
低传播延迟(典型值65 ns)和快速的上升/下降时间(典型15 ns),使得该芯片适用于高频开关应用,提升整体系统响应速度和稳定性。此外,SI8273DB-IS1R具备出色的抗干扰能力,可在高噪声环境中保持稳定运行。
该芯片还内置故障保护机制,包括欠压锁定(UVLO)和热关断保护,有助于防止功率器件在异常情况下损坏,提高系统的可靠性和安全性。其8引脚宽体SOIC封装结构有助于提高PCB布局的灵活性,并满足严格的安规要求。
SI8273DB-IS1R广泛应用于需要高压隔离和高效功率控制的系统中,如工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动车充电器、开关电源(SMPS)以及智能电网设备。在电机控制应用中,该芯片可用于构建高效可靠的半桥驱动电路;在太阳能逆变系统中,它能够驱动高频DC-AC转换器中的功率开关器件,提升能量转换效率;在电动汽车充电系统中,其高隔离耐压能力可有效保障系统安全运行。
此外,该芯片也可用于各类功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、电焊设备和感应加热装置等工业电源系统中,作为功率开关器件的高效驱动解决方案。
ADuM4223-1BRZ, UCC21520DWPG4, HCPL-J312, NCD57001DR2G