型号：SI8273AB-IM
　　制造商：Silicon Labs (Skyworks)
　　通道数：2
　　通道方向配置：3/1（三路正向，一路反向）
　　数据速率：最高支持150 Mbps
　　隔离耐压：5000 VRMS（持续工作电压）
　　工作电压范围（VDD）：3.0 V 至 5.5 V
　　传播延迟：典型值45 ns，最大值90 ns
　　脉冲宽度失真：≤15 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：最小值100 kV/μs
　　温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16（宽体）
　　安全认证：UL 1577、DIN V VDE 0884-10（增强绝缘）、IEC 60747-17
　　爬电距离：≥8 mm
　　电气间隙：≥8 mm
　　功耗：每通道典型值为3.5 mW @ 5V, 1 Mbps

SI8273AB-IM采用了Silicon Labs先进的数字隔离技术，基于CMOS工艺结合高频载波调制机制，在保证高可靠性的同时实现了卓越的性能表现。其核心优势之一是极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），最低可达100 kV/μs，这意味着即使在存在强烈电磁干扰或快速电压变化的工业环境中，也能有效防止误触发和信号畸变，确保数据完整性。这一特性使其特别适合用于变频器、伺服驱动器和光伏逆变器等高压功率控制系统中，作为控制侧与功率侧之间的隔离桥梁。
　　该器件支持高达150 Mbps的数据传输速率，能够满足高速通信协议的需求，例如SPI、UART、I2C以及其他需要实时响应的数字接口应用。相比传统的光耦合器，SI8273AB-IM没有发光二极管老化问题，寿命更长，且启动时间快、温漂小、一致性好，极大地提升了系统的长期稳定性。此外，其低传播延迟（最大90 ns）和极小的通道间偏移，有助于实现精确同步控制，尤其在多相电机驱动或PWM信号隔离中至关重要。
　　SI8273AB-IM具备宽电源电压范围（3.0V–5.5V），允许其灵活适配不同逻辑电平系统，包括3.3V和5V混合电路设计。它的工作温度范围覆盖-40°C到+125°C，可在高温环境下持续稳定运行，适用于严苛的工业现场条件。集成的故障保护功能包括欠压锁定（UVLO）和热关断机制，进一步增强了系统安全性。封装采用SOIC-16宽体设计，不仅提高了机械强度，还满足了国际安全标准对增强绝缘的要求，通过UL、VDE及CQC认证，可用于医疗设备和工业设备中的基本与辅助绝缘等级设计。整体而言，SI8273AB-IM是一款集高性能、高可靠性与高安全性于一体的现代数字隔离解决方案。

SI8273AB-IM广泛应用于各类需要电气隔离的高性能电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、数字I/O隔离板、现场总线通信接口（如RS-485隔离）、传感器信号调理电路等，以防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电机驱动系统中，该芯片被用来隔离微控制器发出的PWM信号与栅极驱动器之间，确保功率桥臂切换时产生的高压噪声不会影响控制侧逻辑，提升系统鲁棒性。在开关电源和DC-DC转换器中，SI8273AB-IM可用于反馈回路的信号隔离，实现次级侧电压/电流采样信号的安全传输，从而构建闭环稳压控制。此外，在新能源系统如太阳能逆变器和储能系统中，它承担着直流侧与交流侧之间的通信隔离任务，保障操作人员安全并符合电网接入标准。医疗设备中也采用此类高隔离等级器件，用于病人连接型设备的信号接口隔离，满足严格的漏电流和绝缘要求。其他应用场景还包括工业网关、隔离式ADC/DAC前端、电池管理系统（BMS）中的通信隔离，以及任何需在不同电位域之间传输高速或高精度数字信号的场合。凭借其高CMTI、低延迟和宽温工作能力，SI8273AB-IM成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件。

SI8622BB-D-ISR
　　ISO7721DR
　　ADuM120N0BRZ