时间：2025/8/21 18:20:55
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SI8261BAD-C-IMR是一款由Silicon Labs（芯科科技）生产的高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片，广泛用于驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件。该芯片采用Silicon Labs的专有数字隔离技术，提供高隔离电压和出色的抗干扰能力，适用于工业电机控制、电源转换、可再生能源系统和电动汽车等高可靠性应用。
类型：隔离式栅极驱动器
通道数：2通道（独立双通道）
最大工作电压：5.5V
工作电压范围：2.5V 至 5.5V
最大输出电流：4.0A（峰值）
传播延迟：最大85ns（典型60ns）
上升/下降时间：典型10ns
输入信号类型：CMOS/TTL兼容
输出类型：图腾柱
隔离电压：2.5kVRMS（符合UL1577标准）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8引脚SOIC（宽体）
安全认证：UL、CSA、TUV、CE等
SI8261BAD-C-IMR具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率驱动应用。首先，其采用Silicon Labs的数字隔离技术，提供高达2.5kVRMS的隔离电压，确保在高压环境下系统的安全性和稳定性。其次，该芯片支持双通道独立驱动，每个通道均可提供高达4A的峰值输出电流，能够快速有效地驱动大功率MOSFET或IGBT。此外，SI8261BAD-C-IMR具有极低的传播延迟（典型60ns）和快速的上升/下降时间（典型10ns），有助于提高系统的开关效率并减少开关损耗。其输入端支持CMOS/TTL电平兼容，简化了与控制器的接口设计。同时，该器件内置欠压锁定（UVLO）功能，确保在电源电压不足时关闭输出，防止不稳定的运行。宽工作电压范围（2.5V至5.5V）使其适用于多种供电环境。芯片的宽体8引脚SOIC封装设计增强了爬电距离，进一步提高了电气安全性。SI8261BAD-C-IMR还具有良好的抗电磁干扰（EMI）性能，适合在工业和汽车等复杂电磁环境中使用。
SI8261BAD-C-IMR广泛应用于需要高隔离性能和高效驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器、伺服控制器、开关电源（SMPS）、逆变器、太阳能逆变器、电动车电驱系统、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备。由于其高可靠性和优异的动态响应能力，该芯片也适用于对安全性要求极高的医疗设备和测试测量仪器中的功率开关控制。
ADuM4223-AD, NCP51561, UCC21520, LM5155
