时间：2025/8/22 4:08:46
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Si8261BAC-C-IPR 是 Silicon Labs 公司推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片，专为工业电机控制、电源转换和高功率系统设计。该芯片基于 Silicon Labs 独有的数字隔离技术，提供了高抗噪能力和可靠的电气隔离性能。Si8261BAC-C-IPR 适用于驱动 IGBT、MOSFET 和 SiC 等功率器件，广泛应用于变频器、UPS、太阳能逆变器等工业设备中。
供电电压：2.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
最大输出峰值电流：2.5A（典型值）
输入信号频率范围：高达 2MHz
传播延迟：最大 110ns
脉冲宽度失真：< 5ns
隔离电压：3.75kVRMS（符合 UL、CSA 和 VDE 标准）
共模瞬态抗扰度（CMTI）：＞50kV/μs
输出驱动器电源电压范围：8V 至 30V
封装形式：8引脚宽体 SOIC
Si8261BAC-C-IPR 的核心优势在于其基于 CMOS 工艺的数字隔离技术，这使得该芯片在高速运行时依然能够保持稳定的隔离性能。相比传统的光耦隔离方案，Si8261BAC-C-IPR 具有更高的可靠性、更长的使用寿命以及更低的功耗。该芯片的两个通道可以独立控制，适用于高侧和低侧功率开关的驱动应用。
其内部集成的欠压锁定（UVLO）功能可以在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件工作在非安全状态。同时，该芯片支持宽范围的输入逻辑电压，兼容 2.5V、3.3V 和 5V 控制系统，提高了其在不同应用场景下的适应性。
此外，Si8261BAC-C-IPR 采用了宽体封装设计，增强了爬电距离和电气安全性，满足 IEC 60747-17 和 UL 1577 等国际安全标准。该芯片还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持正常工作。
Si8261BAC-C-IPR 主要应用于需要高隔离性能和高可靠性的功率驱动系统中。例如，在工业变频器中用于驱动 IGBT 模块；在 UPS 不间断电源中用于控制 MOSFET 开关；在太阳能逆变器中用于隔离直流侧与交流侧的控制信号；在电动汽车充电设备中用于高压隔离控制电路。此外，该芯片也可用于电机驱动器、智能电表、工业自动化控制系统等高要求的工业场合。
Si8262BCC-C-IPR, ADuM4223-ARIZ, UCC21520DWPG4
