型号：SI8261ABC-C-IPR
　　通道数：2
　　方向性：双向 x2
　　供电电压（VCC）：3.0V 至 5.5V
　　隔离耐压：5000 V RMS
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs
　　传播延迟：典型值 45 ns
　　最大数据速率：150 Mbps
　　绝缘材料：聚酰亚胺
　　封装类型：SOIC-16WB
　　安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、IEC 60747-17
　　爬电距离：8 mm
　　电气间隙：8 mm
　　

SI8261ABC-C-IPR 采用 Silicon Labs 先进的硅基电容隔离技术，通过在高电阻率硅衬底上集成微缩的高压电容结构，实现信号跨隔离栅的高速、低功耗传输。该技术摒弃了传统光耦中易老化的发光二极管（LED）和光电晶体管结构，从根本上消除了LED衰减导致的性能下降问题，显著提升了器件的长期稳定性与可靠性。每个通道由高频调制电路、差分电容耦合结构和解调电路组成，输入信号被转换为高频载波信号，通过片上微型电容器跨越隔离层进行传输，接收端则通过同步解调恢复原始逻辑状态。这种架构不仅支持高达150 Mbps的数据速率，还具备极低的传播延迟（典型值45 ns）和出色的时序精度，非常适合对实时性要求严格的控制系统，如伺服驱动器和数字电源反馈回路。
　　该器件具备优异的电磁兼容性（EMC）性能，共模瞬态抗扰度（CMTI）超过100 kV/μs，能够在存在剧烈电压跳变的环境中（如IGBT或MOSFET开关电路）保持信号完整性，避免误触发或逻辑翻转。其双通道设计支持多种逻辑配置模式，可通过引脚设置实现两个独立的单向通道或一个双向通道加一个单向通道的组合，增强了系统设计的灵活性。SI8261ABC-C-IPR 的功耗远低于同等功能的光耦，典型工作电流仅为几毫安，有助于降低系统整体功耗并减少散热需求，特别适合高密度集成和电池供电的应用场景。
　　在安全性方面，该器件符合多项国际隔离标准，包括 IEC/EN/DIN EN 60747-17，支持5 kVRMS 的隔离电压，持续时间为1分钟，并满足UL1577的安全规范。其宽体SOIC-16封装提供了8 mm的爬电距离和电气间隙，有效防止高压击穿和表面漏电，适用于加强绝缘和基本绝缘应用场景。器件内部集成了故障保护机制，当输入端开路时，输出端可保持确定的状态（默认高或低），防止系统失控。此外，它支持宽电压供电（3.0V至5.5V），可直接与3.3V或5V逻辑系统接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。

SI8261ABC-C-IPR 广泛应用于需要高可靠性信号隔离的工业与电力电子系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输入/输出模块，实现现场传感器与控制器之间的电气隔离，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电机驱动系统中，该器件用于隔离微控制器与功率桥驱动电路之间的PWM控制信号，确保在高压母线环境下控制信号的准确传输，广泛应用于伺服驱动器、变频器和无刷直流电机控制器中。在开关电源和DC-DC转换器中，SI8261ABC-C-IPR 可用于隔离反馈环路中的数字通信信号，如PMBus或SMbus接口，提升系统的效率与稳定性。新能源领域中，该芯片适用于光伏逆变器和电动汽车车载充电机（OBC），在高压电池管理系统（BMS）与低压控制单元之间提供安全隔离通信路径。此外，在医疗电子设备中，由于其符合严格的安全隔离标准，可用于病人连接型设备的信号隔离，确保操作安全。测试与测量仪器也常采用该器件来隔离敏感测量电路与外部接口，提高测量精度和系统鲁棒性。

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　　 "SI8262BBC-C-IPR",
　　 "ADuM2401",
　　 "ISO7221ADBR",
　　 "Si8620BB-C-ISR"
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