类型：隔离式双通道栅极驱动器
　　隔离电压：5 kVrms（增强型隔离）
　　工作电压：2.5V 至 5.5V
　　输出通道数：2
　　输出驱动能力：最大峰值电流 2.5A
　　传播延迟：最大 150 ns
　　脉宽失真（PWD）：< 5 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：> 100 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC
　　认证标准：UL、CSA、IEC、EN

Si8261ABA-C-ISR 具备多项先进特性，使其在工业和高可靠性应用中表现出色。首先，其采用了 Silicon Labs 独有的数字隔离技术，基于 CMOS 工艺的电容隔离结构，提供高达 5 kVrms 的增强型隔离等级，确保在高压环境下的安全稳定运行。
　　其次，该芯片具有宽泛的供电电压范围（2.5V 至 5.5V），可兼容多种控制器和逻辑电平，提高了系统设计的灵活性。双通道输出设计支持独立控制，适用于半桥、全桥和推挽式功率转换拓扑。
　　该器件的输出驱动能力强，每个通道可提供高达 2.5A 的峰值电流，确保能够快速驱动 MOSFET 或 IGBT，降低开关损耗并提高系统效率。同时，其传播延迟低至 150ns，脉宽失真小于 5ns，有助于实现高精度的开关控制。
　　在抗干扰方面，Si8261ABA-C-ISR 的共模瞬态抗扰度（CMTI）超过 100kV/μs，显著优于传统光耦隔离方案，适用于存在强烈电磁干扰的工业环境。
　　此外，该芯片支持宽广的工作温度范围（-40°C 至 +125°C），适用于严苛的工业和汽车应用。8 引脚 SOIC 封装结构紧凑，便于 PCB 布局并节省空间。

Si8261ABA-C-ISR 主要应用于需要高隔离性能和可靠性的功率电子系统。例如，在工业电机驱动中，该芯片用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT 模块，实现高效率的电机控制；在太阳能逆变器系统中，用于隔离控制电路与高压直流母线，提高系统的安全性和稳定性；在电动汽车充电设备中，作为隔离式栅极驱动单元，保障控制信号与高压部分的电气隔离。
　　此外，该芯片也适用于工业电源、UPS（不间断电源）、电焊机、感应加热设备、电池管理系统（BMS）以及智能电网设备等。由于其高可靠性与高集成度，Si8261ABA-C-ISR 也广泛用于医疗设备和测试仪器中，确保操作人员和设备的安全。

UCC21520, ADuM4223, NCV51560, IR2085S