时间：2025/12/27 5:52:51
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Silicon Labs 的 SI8252-IQ 是一款高性能的双通道数字隔离器，采用 Silicon Labs 独有的 CMOS 工艺和数字电容隔离技术，旨在为工业、电源、电机控制等高可靠性应用提供安全、可靠的信号隔离解决方案。该器件集成了两个独立的隔离通道，支持多种通道配置（如 2 个正向通道或 1 正 1 反），具备出色的抗噪声能力和高共模瞬态抗扰度（CMTI），能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。SI8252-IQ 采用宽体 SOIC-8 封装，符合 UL、VDE 和 CQC 等国际安全标准，适用于需要功能隔离或加强绝缘的应用场景。其低功耗、高数据速率（最高可达 150 Mbps）以及宽温度范围（-40°C 至 +125°C）使其成为替代传统光耦的理想选择，尤其适合在开关电源、逆变器、工业自动化和可再生能源系统中使用。
类型：双通道数字隔离器
通道数：2
方向配置：可配置（2 个正向或 1 正 1 反）
数据速率：最高 150 Mbps
供电电压（VDD1/VDD2）：2.5V 至 5.5V
隔离耐压：5000 VRMS（1 分钟，UL 1577）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs
传播延迟：典型值 20 ns
脉冲宽度失真：典型值 3 ns
封装类型：SOIC-8 宽体
安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17、CQC
SI8252-IQ 采用 Silicon Labs 专有的数字电容隔离技术，通过在芯片上集成高频振荡器、调制器、隔离电容和解调电路，实现高速、低延迟的信号传输。与传统光耦相比，该技术避免了LED老化问题，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。其双通道设计支持灵活的输入输出配置，用户可根据系统需求选择两个通道均为正向输出，或一个正向一个反向输出，增强了设计的灵活性。
该器件具备极高的抗干扰能力，共模瞬态抗扰度（CMTI）达到 ±100 kV/μs，确保在高压开关环境（如 IGBT 或 SiC/GaN 器件驱动）中信号传输不受共模噪声影响。同时，其低传播延迟（典型值 20 ns）和极小的脉冲宽度失真（典型值 3 ns）使得其非常适合用于精确时序控制的应用，如半桥或全桥驱动器中的死区时间控制。
SI8252-IQ 支持宽电源电压范围（2.5V–5.5V），允许其与不同逻辑电平的微控制器、FPGA 或 DSP 接口无缝对接，无需额外的电平转换电路。此外，其低功耗特性有助于减少系统整体能耗，提升能效。该器件在 -40°C 至 +125°C 的工业级温度范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。
在安全认证方面，SI8252-IQ 符合多项国际标准，包括 UL 1577（5000 VRMS 隔离）、IEC/EN/DIN EN 60747-17（VDE 0884-10 认证）以及中国 CQC 认证，支持高达 1200 VPK 的工作电压，满足加强绝缘要求，适用于需要高功能安全等级的系统设计。
SI8252-IQ 广泛应用于需要电气隔离的高性能电子系统中。在工业自动化领域，常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、工业通信接口（如 RS-485、CAN 隔离）和传感器信号隔离，以防止地环路干扰和高压窜入损坏敏感控制电路。
在电源管理系统中，该器件可用于隔离式 DC-DC 转换器、AC-DC 电源和数字电源控制回路，实现反馈信号和控制信号的隔离传输，提高系统的稳定性和安全性。特别是在数字电源中，其高速响应能力有助于实现精确的 PWM 信号隔离，提升动态响应性能。
在电机驱动和逆变器系统中，SI8252-IQ 常用于隔离微控制器与功率开关器件（如 IGBT、MOSFET、SiC 或 GaN 模块）之间的驱动信号，确保高低压域之间安全通信，防止高压侧故障影响低压控制部分。其高 CMTI 特性特别适合用于高频开关场合，如伺服驱动器、变频器和电动汽车充电系统。
此外，该器件也适用于可再生能源系统，如光伏逆变器和风力发电控制系统，用于隔离监测信号、通信接口和控制逻辑，保障系统在户外复杂电磁环境下的可靠运行。医疗设备和测试测量仪器中也采用此类隔离器以满足安全法规要求。
ADuM120N0BRZ
ISO7221AQDWRQ1
MAX14850EASA+
