时间：2025/12/27 5:29:57
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Silicon Labs 的 SI8252-IMR 是一款高性能的双通道数字隔离器，专为在高噪声工业环境中实现可靠的信号隔离而设计。该器件采用 Silicon Labs 专有的 CMOS 工艺和数字隔离技术，利用高频调制和片上变压器耦合来实现输入与输出之间的电气隔离。SI8252-IMR 提供两个独立的隔离通道，支持双向通信，并具有出色的抗电磁干扰（EMI）能力，适用于需要高可靠性和长寿命的工业自动化、电源管理和电机控制等应用。该芯片符合国际安全标准，如 UL、VDE 和 CQC，具备高达 5 kVRMS 的隔离耐压能力，能够有效保护系统和操作人员免受高压瞬变的影响。此外，SI8252-IMR 具有低功耗、高数据速率（最高可达 150 Mbps）以及精确的通道匹配特性，可确保时序一致性，减少抖动。其工作温度范围宽，通常为 -40°C 至 +125°C，适合在严苛环境下稳定运行。封装形式为小型化的 8 引脚 SOIC 宽体封装，有助于节省 PCB 空间并简化布局布线。
器件型号：SI8252-IMR
通道数：2
方向配置：双通道单向或双向可配置
供电电压（VDD1/VDD2）：2.5V 至 5.5V
逻辑电平兼容性：支持 2.5V、3.3V 和 5V 系统
最大数据速率：150 Mbps
传播延迟典型值：45 ns
通道间匹配度：±5 ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs
隔离耐压：5000 VRMS（1 分钟，UL 1577）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8 引脚 SOIC-Wide
安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、CQC 认证
SI8252-IMR 采用 Silicon Labs 的专利数字隔离技术，通过高频载波调制和集成在芯片上的微变压器实现信号跨隔离栅传输。这种架构相较于传统的光耦合器具有显著优势，例如更高的数据速率、更低的功耗以及更长的使用寿命，因为不存在 LED 老化问题。每个通道均可独立配置为输入或输出，提供了极大的灵活性，适用于多种双向通信场景，如 I2C 总线隔离或多点控制系统中的反馈回路。
该器件具备优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），超过 100 kV/μs，能够在存在强烈电磁干扰的工业环境中保持信号完整性，防止因快速电压变化引起的误触发或数据错误。这使其非常适合用于逆变器、伺服驱动器和开关电源等高噪声场合。此外，其低传播延迟和优秀的通道间延迟匹配确保了多通道同步控制的精度，对于需要精确时序的应用（如三相电机控制）至关重要。
SI8252-IMR 支持宽电源电压范围（2.5V–5.5V），允许它无缝连接不同电平的系统，例如将 3.3V 微控制器与 5V 外设进行隔离通信。内部集成了故障安全输出机制，在输入信号丢失或电源异常时可使输出进入预定义状态，提升系统安全性。所有材料和制造工艺均符合 RoHS 指令要求，并通过 AEC-Q100 可靠性测试，确保产品在长期运行中的稳定性。
SI8252-IMR 广泛应用于需要电气隔离的工业和电力电子系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）、远程 I/O 模块和现场总线接口中，以隔离传感器信号或控制指令，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。
在电源管理系统中，该器件可用于隔离 DC-DC 转换器的反馈环路或数字控制信号，提高系统的效率和响应速度。在电机驱动器和逆变器中，SI8252-IMR 能够隔离来自微控制器的 PWM 信号，同时将电流、电压采样信号安全地传回处理器，保障人身和设备安全。
此外，它也适用于医疗设备中的信号隔离，满足严格的绝缘和安全规范；在太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，用于高压侧与低压侧之间的通信隔离，确保系统在高压环境下的稳定运行。由于其高集成度和小尺寸封装，特别适合对空间敏感且要求高性能的紧凑型设计。
ADuM120N0BRZ
ISO7221ADR
