型号：SI8250-IQR
　　通道数：1
　　方向：单向
　　数据速率：最高150 Mbps
　　隔离电压：5000 V_RMS（1分钟，UL认证）
　　工作电压：VDD1/VDD2 = 2.5V 至 5.5V
　　电源电流：典型值3.5 mA（每通道，1 Mbps）
　　传播延迟：典型值18 ns（@5V，25°C）
　　脉冲宽度失真：最大10 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：最小100 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8-SOIC宽体（DW）
　　安全认证：UL 1577，IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
　　爬电距离：8 mm
　　间隙距离：8 mm
　　隔离寿命：>100年（依据UL标准）
　　输入类型：CMOS/TTL兼容
　　输出类型：推挽式缓冲器
　　故障安全模式：输出低电平（当输入无信号或掉电）

SI8250-IQR采用Silicon Labs先进的电容隔离技术，利用高频载波调制将数字信号跨过隔离栅进行传输。这种技术通过在硅芯片上构建高击穿强度的二氧化硅（SiO?）电容层作为隔离介质，实现输入侧与输出侧之间的电气隔离。相比传统的光耦合器，该技术避免了LED老化、温度漂移和速度受限等问题，提供了更长的使用寿命和更高的稳定性。其双电容差分结构不仅提高了抗干扰能力，还能有效抑制共模噪声，确保信号在高dv/dt环境下依然准确传输。该器件的共模瞬态抗扰度（CMTI）性能优异，最小值可达100 kV/μs，意味着即使在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压变化的场合，也能防止误触发或数据错误，保障系统运行的可靠性。
　　SI8250-IQR支持宽电源电压范围（2.5V至5.5V），允许其与多种逻辑电平系统（如3.3V和5V）无缝对接，提升了系统设计的灵活性。其低功耗特性使其在电池供电或节能型应用中表现出色，静态电流低至微安级别，动态功耗随数据速率线性增长，整体能效优于传统光耦。该器件的传播延迟短且匹配良好，典型值仅为18 ns，脉宽失真小（<10 ns），非常适合用于高速通信接口、PWM信号隔离和实时控制系统。此外，SI8250-IQR具备故障安全机制，在输入侧断开或供电异常时，输出端会自动拉低，防止下游电路处于不确定状态，从而提升系统的安全等级。其8引脚SOIC宽体封装符合增强绝缘要求，爬电距离和间隙均达到8 mm，满足工业设备对绝缘距离的严格规范。整体设计无需外部元件即可工作，减少了PCB面积和BOM成本，同时提高了系统可靠性。

SI8250-IQR广泛应用于需要高可靠性和强电气隔离的工业与电力电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块中的数字输入/输出隔离，保护控制器免受现场传感器或执行器引入的高压冲击。在电机驱动和逆变器系统中，该芯片可用于隔离微控制器发出的PWM控制信号，确保功率级与控制级之间安全通信，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控芯片。在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，SI8250-IQR可用于反馈回路或同步整流控制信号的隔离，提高电源效率和稳定性。其高CMTI和快速响应特性也使其适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统和UPS不间断电源等新能源设备。
　　在医疗电子设备中，由于对患者安全有严格绝缘要求，SI8250-IQR可用于隔离监测信号或控制线路，满足医疗设备的安全标准。此外，在测试与测量仪器、工业通信接口（如RS-485、CAN总线隔离扩展）以及智能电表等应用中，该器件也能提供稳定、低延迟的信号隔离解决方案。得益于其宽温工作范围和高抗扰能力，SI8250-IQR特别适合部署在高温、高湿或强电磁干扰的恶劣环境中。其无需驱动电路、即插即用的设计特点，进一步加快了产品开发周期，降低了设计复杂度，是现代数字隔离方案中的优选器件之一。

SI8601BB-D-ISR
　　ISO7710DBQR
　　ADM3050BRWZ