时间：2025/8/21 20:21:32
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SI823H7CD-IS3是一款由Silicon Labs（芯科科技）公司生产的高性能隔离式栅极驱动器芯片，广泛应用于需要高隔离电压和高可靠性的功率电子系统中。该芯片采用Silicon Labs的数字隔离技术，具备高集成度、高抗噪能力和快速响应时间，适用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。SI823H7CD-IS3采用8引脚SOIC封装，符合工业级温度范围（-40°C至+125°C），适用于电机控制、太阳能逆变器、电源转换器等应用场景。
工作电压范围：2.5V至5.5V
输出驱动电流：±1.5A（峰值）
隔离电压：5kVRMS
工作温度范围：-40°C至+125°C
传播延迟：最大85ns
脉冲宽度失真：小于3ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：＞50kV/μs
输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
封装类型：8引脚SOIC
认证标准：UL、VDE、CSA、IEC
SI823H7CD-IS3的核心优势在于其基于CMOS的数字隔离技术，这种技术相比传统的光耦隔离方案具有更长的寿命、更高的稳定性和更低的功耗。芯片内部集成高频振荡器和变压器，实现输入与输出之间的高效能量传输和信号隔离。
该器件具有极低的传播延迟（最大85ns），确保了高频开关应用中的精确控制能力。同时，其脉冲宽度失真小于3ns，使得上下桥臂驱动信号的对称性更高，减少了功率器件在开关过程中的损耗和干扰。
SI823H7CD-IS3具备强大的抗噪能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）超过50kV/μs，能够在高噪声环境下稳定工作。此外，该芯片的输入逻辑兼容CMOS和TTL电平，简化了与控制器的接口设计。
为了提高系统的可靠性，该芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时误触发功率器件，避免可能的损坏。同时，其输出级具备短路保护和热关断功能，进一步提升了整体系统的安全性。
SI823H7CD-IS3常用于需要高隔离电压和高性能驱动能力的工业自动化设备、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及各种类型的功率转换系统。其高可靠性设计也使其适用于医疗设备、智能电网和电动汽车充电系统等对安全性和稳定性要求极高的应用场合。
UCC21520, ADuM4223, HCPL-J312, Si826x
