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SI8236AA-D-IM 发布时间 时间:2025/12/27 6:08:10 查看 阅读:24

Silicon Labs 的 SI8236AA-D-IM 是一款高性能的双通道数字隔离器,专为在高噪声、高电压和高可靠性要求的应用环境中实现安全可靠的信号隔离而设计。该器件基于Silicon Labs独有的电容隔离技术,采用先进的CMOS工艺制造,能够在紧凑的封装内提供出色的抗干扰能力、低功耗和高集成度。SI8236AA-D-IM 包含两个独立的隔离通道,均配置为非反相逻辑方向,输出默认状态为高电平(即‘A’型逻辑配置),适合用于数字信号传输、电源控制、工业自动化等场景。该芯片支持高达 6 kVRMS 的隔离耐压,符合 UL、IEC、EN 等多项国际安全标准,适用于需要加强绝缘保护的系统设计。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,满足工业级应用需求。此外,SI8236AA-D-IM 采用 8 引脚宽体 SOIC 封装(SOIC-8WB),具有较大的爬电距离和电气间隙,进一步提升了系统的电气安全性。该器件广泛应用于电机驱动、光伏逆变器、工业PLC、医疗设备以及电动汽车充电系统中,作为微控制器与功率器件(如IGBT、MOSFET)之间的隔离接口。得益于其高数据速率(最高可达 15 Mbps)、低传播延迟和优异的共模瞬态抗扰度(CMTI > 100 kV/μs),SI8236AA-D-IM 能够确保在复杂电磁环境下仍保持稳定通信。同时,它还具备低功耗特性,每通道静态电流典型值仅为几微安,有助于提升整体系统能效。

参数

制造商:Silicon Labs
  产品系列:Si823x
  类型:数字隔离器
  通道数:2
  隔离电压:6000 VRMS
  工作电压:2.7V ~ 5.5V(VDD1),4.5V ~ 5.5V(VDD2)
  数据速率:最高15 Mbps
  传播延迟:典型值50ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>100 kV/μs
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装/外壳:8-SOIC(宽体)
  逻辑方向:双通道非反相
  默认输出状态:高电平(A型)
  安全认证:UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2

特性

SI8236AA-D-IM 采用 Silicon Labs 自主研发的电容隔离技术,利用高频调制和差分电容耦合原理实现信号跨隔离栅传输。这种技术相较于传统的光耦合器,具有更长的使用寿命、更高的温度稳定性以及更快的响应速度。其内部集成了高频振荡器、编码器、隔离电容阵列、解码器和输出驱动电路,形成完整的信号隔离路径。两个通道均采用非反相逻辑设计,默认输出为高电平,在输入未连接或掉电时可防止误触发,提高系统安全性。该器件具备卓越的共模瞬态抗扰度(CMTI),超过 100 kV/μs,意味着即使在快速变化的共模电压环境下(如电机驱动中的开关噪声),也能准确传递信号而不发生误码或锁死现象。
  SI8236AA-D-IM 支持高达 15 Mbps 的数据速率,适用于高速数字通信场合,例如 PWM 信号隔离、SPI 接口隔离等。其传播延迟低至 50 ns 典型值,且通道间匹配性好,有利于精确时序控制。器件的输入侧工作电压范围为 2.7V 至 5.5V,兼容 3.3V 和 5V 逻辑系统;输出侧则支持 4.5V 至 5.5V 的供电,便于直接驱动 IGBT 或 MOSFET 栅极驱动电路,无需额外电平转换。该芯片具有优秀的温度稳定性,性能随温度变化小,可在 -40°C 至 +125°C 的宽温范围内可靠运行,适用于恶劣工业环境。
  在安全性方面,SI8236AA-D-IM 提供 6 kV RMS 的隔离耐压,满足 UL1577 和 IEC/EN 60747-5-2 标准中对加强绝缘的要求,可用于功能隔离和安全隔离设计。其宽体 SOIC-8 封装提供了足够的爬电距离和电气间隙,增强了抗污染和高压击穿能力。此外,该器件具有低功耗特性,静态电流极低,有助于降低系统热损耗,特别适合对能效敏感的应用。所有这些特性使得 SI8236AA-D-IM 成为替代传统光耦的理想选择,在可靠性、寿命和性能上均有显著提升。

应用

SI8236AA-D-IM 广泛应用于需要电气隔离的工业与电力电子系统中。在电机控制系统中,它常被用于将微控制器产生的 PWM 信号隔离后传递给栅极驱动器,从而控制逆变器中的 IGBT 或 MOSFET,有效防止高压侧故障影响低压控制电路。在光伏逆变器和风力发电变流器中,该器件用于隔离 DC-DC 变换器和 DC-AC 逆变桥的控制信号,确保操作人员和设备的安全。在工业自动化领域,SI8236AA-D-IM 可用于 PLC 数字 I/O 模块、远程 IO 系统和现场总线接口,实现控制器与执行机构之间的信号隔离,提升系统抗干扰能力。
  在电动汽车充电桩中,该芯片用于隔离充电控制单元与交流/直流电源管理模块之间的通信信号,保障用户端与电网之间的电气安全。此外,在不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)和工业电源系统中,SI8236AA-D-IM 可作为反馈环路或同步整流控制的隔离元件,提高系统效率和稳定性。医疗设备中也常使用此类高隔离等级的器件,以满足严格的电气安全和电磁兼容要求。由于其具备高 CMTI 和低传播延迟特性,该芯片同样适用于精密测量仪器、隔离式 ADC 驱动、数字接口隔离(如隔离 SPI、I2C)等高端应用场景。总之,凡是在存在高压、噪声或安全隔离需求的场合,SI8236AA-D-IM 均可发挥关键作用。

替代型号

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SI8236AA-D-IM参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离1000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低2A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VFLGA
  • 供应商器件封装14-LGA(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE