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SI8235AB-D-IM1 发布时间 时间:2025/8/22 9:24:48 查看 阅读:13

SI8235AB-D-IM1 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于功率电子系统中,如电机控制、逆变器、开关电源等。该芯片基于Silicon Labs的数字隔离技术,提供高抗噪能力和可靠的电气隔离性能。SI8235AB-D-IM1 采用16引脚QSOP封装,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +125°C),具备良好的热稳定性和电磁兼容性。

参数

类型:隔离式双通道栅极驱动器
  封装:16-QSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离耐压:5 kVRMS(符合UL认证)
  最大工作电压:600V
  最大峰值输出电流:2.5A(典型值)
  传播延迟:85ns(典型)
  输入电源电压范围:2.5V 至 5.5V
  输出电源电压范围:4.5V 至 20V
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>100kV/μs
  安全认证:UL、VDE、CSA

特性

SI8235AB-D-IM1 具备多项先进的性能特性,适用于高要求的功率驱动应用。其核心优势之一是采用Silicon Labs 独有的数字隔离技术,提供高达5 kVRMS 的电气隔离,确保在高电压、高噪声环境中信号传输的稳定性与安全性。该器件内置两个独立的驱动通道,支持高侧和低侧同步驱动,适用于半桥、全桥、推挽等拓扑结构。
  其高驱动能力(2.5A 峰值电流)可有效驱动功率MOSFET或IGBT,降低开关损耗并提高系统效率。该芯片具有较短的传播延迟(典型85ns),支持高频开关应用。输入端支持宽电压范围(2.5V~5.5V),兼容多种控制器接口,如MCU、DSP或FPGA。
  此外,SI8235AB-D-IM1 具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI > 100kV/μs),在恶劣电磁环境中仍能保持稳定运行。其低静态电流设计有助于降低系统功耗,提高热稳定性。该芯片还集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在电源电压不足时误动作,从而提升系统可靠性。
  整体来看,SI8235AB-D-IM1 是一款高集成度、高性能的隔离栅极驱动器,适用于工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器、UPS系统等需要高可靠性和高效率的应用场景。

应用

SI8235AB-D-IM1 主要应用于需要高隔离性能和高驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)模块、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车充电系统、工业自动化控制设备以及家用和商用电器中的功率开关控制。由于其具备高CMTI和高耐压隔离特性,该器件也适用于高噪声、高电压环境中的精密控制电路。

替代型号

UCC21520, ADuM4223, HCPL-J312, NCD57001

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SI8235AB-D-IM1参数

  • 现有数量1,810现货
  • 价格1 : ¥45.31000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)45kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns
  • 电流 - 输出高、低2A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VDFN
  • 供应商器件封装14-QFN(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE