型号：SI8235AB-D-IM
　　通道数：2
　　方向：2正向
　　数据速率：150 Mbps
　　隔离耐压：5000 V RMS
　　工作电压：2.7V 至 5.5V（VDD1/VDD2）
　　传播延迟：最大60 ns
　　脉冲宽度失真：最大15 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8-SOIC（宽体）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10
　　爬电距离：8 mm
　　电气间隙：8 mm
　　最大浪涌隔离电压：8000 V PK
　　部分保持时间：≥60年

SI8235AB-D-IM采用Silicon Labs专有的电容隔离技术，利用高频载波调制将数字信号跨过微型片上电容屏障进行传输。这种技术相比传统的光耦合器具有显著优势，例如更高的速度、更长的寿命、更低的功耗以及更好的温度稳定性。其双通道设计允许独立配置每个通道的方向，但在本型号中为双正向输出，适用于双向或单向信号隔离场合。每个通道都具备独立的发射和接收电路，确保信号完整性并减少串扰。该器件内部集成稳压器和去耦电路，增强了对电源波动的抗干扰能力。
　　该芯片具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），达到150 kV/μs，能够在高dv/dt环境下可靠工作，避免因快速电压变化引起的误触发，这在电机驱动和逆变器应用中至关重要。同时，它支持高达150 Mbps的数据速率，远超传统光耦，可满足现代高速通信协议如SPI、I2C、UART甚至PWM信号的隔离需求。其低传播延迟（典型值45 ns，最大60 ns）和极小的通道间匹配误差（脉冲宽度失真<15 ns）保证了精确的时间同步性能。
　　SI8235AB-D-IM符合多项国际安全标准，包括IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中的增强型绝缘要求，适用于功能安全等级较高的系统设计。其5000 V RMS的隔离耐压和8 mm的爬电距离与电气间隙使其可在高电压系统中提供长期可靠的绝缘保护。此外，该器件具备出色的温度稳定性，在整个-40°C至+125°C工作范围内参数漂移极小，无需额外补偿电路即可稳定运行。
　　与其他隔离技术相比，SI8235AB-D-IM无LED老化问题，寿命长达数十年，且启动时间短，响应迅速。其CMOS输入兼容低电平逻辑信号，可直接连接微控制器GPIO口，简化系统设计。内置故障保护机制可防止输出在输入信号丢失时出现不确定状态，提高系统安全性。整体而言，该器件结合了高性能、高可靠性与紧凑封装，是替代传统光耦的理想选择。

SI8235AB-D-IM广泛应用于需要高可靠性信号隔离的工业和电力电子系统中。在电机控制系统中，它常用于隔离微控制器或DSP与栅极驱动器之间的PWM信号，确保控制信号在高噪声环境下仍能准确传递，避免功率级干扰影响低压控制电路。在开关电源和DC-DC转换器中，该器件可用于反馈环路隔离或数字通信接口隔离，提升系统的效率和稳定性。
　　在光伏逆变器和风力发电系统中，SI8235AB-D-IM用于隔离传感器信号（如电流、电压采样）和通信总线（如RS-485、CAN），保障主控单元免受电网波动和雷击浪涌的影响。其高CMTI性能特别适合这些存在剧烈电压变化的场景。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC模块中的数字I/O隔离，实现现场设备与中央控制器之间的安全通信。
　　此外，在医疗设备中，由于其符合严格的安全隔离标准，SI8235AB-D-IM可用于病人连接设备的信号隔离，防止漏电流危害患者安全。在电动汽车充电系统和车载电源管理中，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的信号隔离，确保高压电池组与低压控制单元之间的电气隔离。
　　其他应用场景还包括隔离式ADC/DAC接口、工业通信网关、伺服驱动器、UPS不间断电源以及任何需要高速、高抗扰、长寿命隔离解决方案的设计。凭借其小尺寸SOIC-8宽体封装，SI8235AB-D-IM易于集成到空间受限的PCB布局中，同时保持足够的电气隔离距离。

ADuM120N0ARZ
　　ISO7221ADR
　　MAX14850EASA+