时间：2025/8/21 20:19:45
阅读：8
SI8235AB-C-IMR 是 Silicon Labs（芯科科技）生产的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片，采用其专利的数字隔离技术。该芯片专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等功率器件设计，广泛应用于工业电机控制、太阳能逆变器、电源转换系统和电动汽车充电设备等领域。SI8235AB-C-IMR 提供了高隔离电压等级和强大的驱动能力，确保在高噪声和高电压环境下稳定运行。
类型：隔离式栅极驱动器
通道数：2
隔离电压：5 kVRMS
工作电压范围：2.5 V 至 5.5 V
输出峰值电流：4.0 A（典型值）
传播延迟：100 ns（最大值）
脉宽失真：≤ 10 ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8引脚宽体 SOIC
SI8235AB-C-IMR 采用 Silicon Labs 独有的数字隔离技术，提供了高达 5 kVRMS 的电气隔离能力，确保主控电路与功率电路之间安全可靠。该芯片的两个通道均可提供高达 4.0 A 的峰值输出电流，能够快速驱动大功率 MOSFET 或 IGBT，从而减少开关损耗并提高系统效率。其低传播延迟（最大 100 ns）和极低的脉宽失真（≤ 10 ns）确保了两个通道之间的时间匹配精度，适用于需要高精度同步控制的应用场景。
此外，SI8235AB-C-IMR 具有宽输入电压范围（2.5 V 至 5.5 V），兼容多种控制信号源，如 MCU、DSP 或 FPGA。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，适应各种严苛工业环境。该芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在供电电压不足时误操作，提升系统稳定性。8引脚宽体 SOIC 封装形式不仅节省空间，还增强了爬电距离和电气安全性。
SI8235AB-C-IMR 主要用于需要高隔离等级和高驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）和电动汽车车载充电器（OBC）。该芯片也可用于高侧/低侧配置的半桥或全桥拓扑结构中，作为功率开关的驱动控制核心。在需要高可靠性和高效率的电源转换系统中，SI8235AB-C-IMR 是一个理想的选择。
ADuM4223-AD, HCPL-J312, UCC21520
