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SI8234AD-D-IS 发布时间 时间:2025/12/27 5:45:15 查看 阅读:57

Si8234AD-D-IS是Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道数字隔离器,广泛应用于需要电气隔离的工业、电源和电机控制等领域。该器件采用先进的CMOS工艺和电容隔离技术,提供了高噪声抗扰度和高可靠性,同时具备低功耗、高数据速率和长寿命等优势。Si8234AD-D-IS集成了两个独立的隔离通道,支持多种通道方向配置,适用于复杂的信号隔离场景。其内部结构通过在硅基芯片上构建微型高压电容来实现信号跨隔离栅传输,相比传统光耦合器,具有更快的响应速度、更小的封装尺寸以及更高的温度稳定性。该芯片工作电压范围宽,支持3.0V至5.5V的VDD供电,可与各种微控制器、DSP和FPGA等数字系统无缝对接。此外,Si8234AD-D-IS符合国际安全标准,包括UL、CSA、VDE和IEC/EN/DIN标准,提供增强型隔离等级,最大隔离耐压可达5000VRMS,适合用于高要求的工业环境。该器件还具备出色的电磁兼容性(EMC)性能,在恶劣电磁环境中仍能保持稳定运行。

参数

型号:Si8234AD-D-IS
  制造商:Silicon Labs
  通道数:2
  通道方向:1正向,1反向
  数据速率:150 Mbps
  供电电压(VDD):3.0V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离电压:5000 VRMS(1分钟,符合UL1577)
  绝缘材料厚度:0.08 mm
  共模瞬态抗扰度(CMTI):100 kV/μs(最小值)
  传播延迟:15 ns(典型值)
  脉冲宽度失真:3 ns(最大值)
  上升/下降时间:2.5 ns(典型值)
  封装类型:SOIC-8(D型)
  安全认证:UL1577、IEC 60747-5-2、VDE 0884-10(增强型隔离)

特性

Si8234AD-D-IS采用Silicon Labs专有的电容隔离技术,利用高频调制和差分信号传输机制实现高速、可靠的信号隔离。该技术通过在单个芯片上集成高压电容屏障,将输入侧的数字信号调制成高频载波信号,并穿过电容隔离层传输到输出侧,再解调还原为原始逻辑信号。这种设计不仅避免了传统光耦因LED老化导致的性能衰减问题,而且显著提升了器件的长期稳定性和使用寿命。其差分架构有效抑制了外部共模噪声干扰,即使在高dv/dt环境下也能保证信号完整性。
  该器件具备高达100 kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI),使其在电机驱动、逆变器和开关电源等存在剧烈电压波动的应用中表现出色。低至15 ns的传播延迟和极小的脉冲宽度失真确保了精确的时间控制,适用于PWM信号隔离传输。此外,Si8234AD-D-IS的静态电流极低,在待机状态下可大幅降低系统功耗,有助于提升整体能效。
  内置的故障保护功能包括开路检测和上电复位电路,确保在输入端未连接或系统启动过程中输出端处于确定状态,防止误触发功率器件。其SOIC-8封装形式兼容标准PCB布局,无需额外散热设计即可满足大多数应用需求。制造工艺符合RoHS环保标准,且支持无铅回流焊。由于基于半导体工艺生产,Si8234AD-D-IS的一致性和良率远高于光耦产品,适合自动化大规模生产。

应用

Si8234AD-D-IS常用于各类需要电气隔离的数字信号传输场合,尤其适合工业自动化控制系统中的隔离接口设计。在电机驱动领域,它被广泛用于隔离微控制器发出的PWM控制信号与功率桥臂之间的驱动电路,防止高压侧噪声反馈影响低压控制单元。在开关电源和DC-DC转换器中,可用于反馈环路或同步整流控制信号的隔离传输,提高系统的安全性和稳定性。
  在太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,Si8234AD-D-IS能够可靠地隔离数字通信信号和状态监测信号,满足高绝缘等级要求。其高CMTI特性也使其适用于变频器、伺服驱动器和UPS不间断电源等高噪声环境下的信号隔离。
  此外,该器件还可用于PLC(可编程逻辑控制器)模块、工业I/O隔离板、隔离式ADC/DAC接口以及医疗设备中的安全隔离接口。由于其支持高达150 Mbps的数据速率,也可用于高速数字通信隔离,如SPI、I2C或UART信号的隔离扩展。在任何需要将低压控制电路与高压执行机构进行安全隔离的场景中,Si8234AD-D-IS都是一种理想的选择。

替代型号

Si8233BD-D-ISR
  ISO6741FDWR
  ADM3251EARSZ

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SI8234AD-D-IS参数

  • 现有数量12现货
  • 价格1 : ¥50.32000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低2A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE