SI8233-B-IM 时间：2025/12/27 6:19:07 阅读：12

Silicon Labs（芯科科技）的SI8233-B-IM是一款高性能的双通道数字隔离器，采用先进的CMOS工艺和电容隔离技术，专为在高噪声、高压环境中实现安全可靠的信号隔离而设计。该器件集成了两个独立的隔离通道，支持多种通道配置方向（如两个输入、两个输出或一入一出），适用于工业自动化、电源管理、电机控制、通信接口等需要电气隔离的应用场景。SI8233-B-IM具备高抗噪声能力、低功耗和高可靠性，符合国际安全标准，包括UL、CSA、VDE和CQC等认证，能够在恶劣电磁环境下稳定工作。其封装形式为8引脚宽体SOIC（Wide Body SOIC），提供高达5 kVRMS的隔离耐压和150 kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），确保系统在瞬态干扰下的稳定性与安全性。此外，该器件的工作温度范围为-40°C至+125°C，适合在严苛的工业环境中长期运行。

参数

品牌：Silicon Labs
　　产品系列：Si82xx
　　通道数：2
　　方向配置：1输出 + 1输出或 2输出（可选）
　　数据速率：最高可达150 Mbps
　　隔离电压：5000 V RMS（符合 UL1577 标准）
　　工作电压：VDD1 = 2.5V 至 5.5V，VDD2 = 2.5V 至 5.5V
　　传播延迟：典型值 25 ns
　　脉冲宽度失真：≤ 5 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥ 150 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8-Wide Body SOIC (SOIC-W8)
　　安全认证：UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE0884-10、CQC
　　爬电距离：8 mm
　　电气间隙：8 mm

特性

SI8233-B-IM采用Silicon Labs专有的电容隔离技术，通过在硅芯片上集成高频调制和差分电容耦合结构，实现高速、低功耗的信号传输。这种技术相比传统的光耦合器具有显著优势，包括更长的使用寿命、更高的数据速率以及更好的温度稳定性。每个通道都使用双电容差分架构，能够有效抑制共模噪声，并提供出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），即使在快速开关的电力电子系统中也能保证信号完整性。
　　该器件内部集成了片上振荡器和编码/解码电路，输入侧的逻辑信号被转换为高频调制信号，通过高介电强度的二氧化硅（SiO2）绝缘层进行跨隔离传输，再在输出侧还原为原始逻辑状态。由于无需外部偏置或反馈元件，系统设计更加简洁可靠。同时，SI8233-B-IM具备失效保护功能，在输入信号丢失或电源异常时可使输出保持确定状态，提升系统安全性。
　　其宽体SOIC封装不仅提供了足够的物理隔离距离以满足安全标准，还便于PCB布局和散热管理。器件支持宽电源电压范围（2.5V–5.5V），允许其与不同逻辑电平的微控制器、FPGA或DSP无缝接口。此外，低功耗特性使其非常适合用于对能效要求较高的应用，例如电池供电设备或高密度电源模块。所有材料均符合RoHS环保要求，并通过了严格的可靠性测试，确保在工业级温度范围内长期稳定运行。

应用

SI8233-B-IM广泛应用于需要电气隔离的工业和功率电子系统中。典型应用场景包括工业PLC中的数字I/O隔离、伺服驱动器和变频器中的栅极驱动信号隔离、开关电源中的反馈环路隔离以及电机控制系统中的传感器信号隔离。在新能源领域，它可用于太阳能逆变器和电动汽车充电桩中的通信与控制信号隔离，保障高压主电路与低压控制电路之间的安全交互。
　　此外，该器件也适用于隔离式ADC/DAC接口、RS-485/RS-232通信模块、隔离型SPI/I2C总线扩展以及医疗设备中的患者连接接口，防止漏电流对人体造成危害。在测试与测量仪器中，SI8233-B-IM可用于隔离探头或数据采集系统，提高系统的抗干扰能力和测量精度。由于其高CMTI和快速响应特性，特别适合用于高频PWM信号传输，如IGBT或MOSFET的栅极驱动隔离，有效防止误触发导致的短路故障。整体而言，SI8233-B-IM是一款通用性强、性能优越的数字隔离器，适用于各种对可靠性、速度和安全性有高要求的现代电子系统。