SI8232AB-D-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,具有优异的电气隔离能力和抗干扰性能,适用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。该器件广泛应用于工业电机控制、太阳能逆变器、电源转换器以及电动汽车等高可靠性要求的系统中。SI8232AB-D-ISR 采用8引脚SOIC封装,支持宽工作温度范围,适用于严苛的工业环境。
型号:SI8232AB-D-ISR
封装:8-SOIC
隔离电压:5 kVRMS
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
电源电压范围:2.5V 至 5.5V
输出驱动电流:±4.0 A(峰值)
传播延迟:55 ns(典型值)
共模瞬态抗扰度(CMTI):100 kV/μs
通道数量:2
输出配置:半桥(High-Side/Low-Side)
SI8232AB-D-ISR 具备多项高性能特性,首先其采用了Silicon Labs专有的数字隔离技术,实现了高达5 kVRMS的隔离电压,确保了系统在高电压和高噪声环境下的稳定运行。
其次,该芯片支持高达±4.0A的峰值输出驱动电流,能够有效驱动大功率MOSFET和IGBT器件,满足高效功率转换的需求。同时,其传播延迟仅为55ns(典型值),具有出色的响应速度,适用于高频开关应用。
此外,SI8232AB-D-ISR具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI)达100 kV/μs,能够在强电磁干扰环境下保持信号完整性,防止误触发。
芯片支持宽电源电压范围(2.5V至5.5V),适用于多种供电配置,增强了设计灵活性。其工作温度范围为-40°C至+125°C,适用于工业级应用环境。
8引脚SOIC封装设计不仅节省PCB空间,也便于安装和散热处理。该芯片还集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于安全阈值时,自动关闭输出以防止器件损坏,提高了系统的安全性和可靠性。
SI8232AB-D-ISR 主要应用于需要高隔离性能和高效驱动能力的电力电子系统中。例如,在工业自动化领域,该芯片可用于驱动电机控制逆变器中的IGBT或MOSFET器件,实现精确的电机控制。
在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能变流器中,SI8232AB-D-ISR 提供可靠的隔离驱动能力,支持高效能量转换。
此外,该芯片也适用于电动汽车中的车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电驱系统,满足汽车电子对高可靠性和高耐压性能的需求。
在电源系统中,该芯片可用于同步整流、功率因数校正(PFC)电路和高频DC-AC逆变器中,提高系统效率和稳定性。
由于其高CMTI和抗干扰能力,也适用于高噪声环境下的精密功率控制设备,如焊接机、UPS不间断电源和工业变频器等。
Si8230BB-D-ISR, ADuM3223, ADuM4223, UCC21225A