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SI8230BB-AS 发布时间 时间:2025/8/21 16:48:31 查看 阅读:5

Si8230BB-AS 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等功率器件。该芯片采用了 Silicon Labs 独家的数字隔离技术(Silicon Laboratories 的专利技术),实现了高隔离电压能力、低传播延迟和高抗噪能力,适用于工业自动化、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车等高可靠性要求的应用场景。

参数

供电电压:2.5V - 5.5V
  输出通道数量:2路独立通道
  最大工作隔离电压:5 kVrms
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输出驱动电流:最大峰值电流 4.0 A
  传播延迟:典型值 60 ns
  脉冲宽度失真:最大 10 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):> 100 kV/μs
  输入逻辑类型:CMOS/TTL 兼容

特性

Si8230BB-AS 具备多项先进的性能特点,使其在工业和高可靠性应用中表现出色。首先,该器件采用了 Silicon Labs 独有的数字隔离技术,基于 CMOS 工艺的电容隔离层,提供高达 5 kVrms 的电气隔离能力,确保了在高电压和高噪声环境下仍能保持信号完整性。
  其次,Si8230BB-AS 的两个输出通道各自具备高达 4A 的峰值驱动能力,能够有效驱动大功率 MOSFET 和 IGBT 器件,适用于高频率开关应用。其低传播延迟(典型值 60 ns)和低脉冲宽度失真(最大 10 ns)保证了精确的开关控制,有助于提高系统的效率和稳定性。
  此外,该芯片具有优异的抗干扰性能,共模瞬态抗扰度(CMTI)超过 100 kV/μs,可在高压瞬态环境下保持稳定运行。芯片支持宽范围的电源电压(2.5V 到 5.5V),便于与多种控制器接口兼容。内置的欠压锁定(UVLO)保护功能可防止功率器件在低电压状态下误操作,提高系统安全性。
  其封装设计也考虑了散热和电气性能,采用 8 引脚宽体 SOIC 封装,符合 RoHS 标准,具备良好的热管理和机械稳定性。

应用

Si8230BB-AS 主要用于需要高隔离性能和高效功率驱动的场合。常见应用包括工业电机驱动、伺服驱动器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、UPS(不间断电源)、功率因数校正(PFC)电路以及智能功率模块(IPM)等。在这些应用中,Si8230BB-AS 能够提供稳定、高效的驱动能力,同时确保系统的安全性和可靠性。
  由于其高抗噪能力和快速响应特性,该芯片也适用于需要复杂电磁环境的工业自动化系统,如变频器、PLC 控制模块等。此外,在新能源汽车领域,Si8230BB-AS 可用于车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)中的功率开关控制,提升整体系统效率和安全性。

替代型号

ADuM4223-1BRZ, UCC21520, HCPL-J312, IR2214PBF

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SI8230BB-AS参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格46 : ¥33.18043管件
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)45ns,45ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UL,VDE