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SI8230AD-B-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 18:41:41 查看 阅读:97

Si8230AD-B-IS是Silicon Labs生产的一款高性能隔离式栅极驱动器芯片。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,能够在高电压和高频率环境下提供可靠的驱动能力。Si8230AD-B-IS广泛应用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。该芯片集成了高边和低边驱动器,支持高效率的半桥和全桥拓扑结构。

参数

类型:隔离式栅极驱动器
  输出通道数:2通道
  供电电压:2.5V至5.5V
  输出驱动能力:±5 A
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  隔离耐压:5 kVrms
  传播延迟:小于100 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>50 kV/μs
  封装类型:8引脚SOIC

特性

Si8230AD-B-IS具备多项优异特性,确保其在严苛环境下稳定运行。首先,该芯片采用Silicon Labs的数字隔离技术,提供高达5 kVrms的电气隔离,有效保护系统免受高压影响。其次,其±5 A的高输出驱动能力,使其能够轻松驱动功率MOSFET和IGBT器件。此外,Si8230AD-B-IS的传播延迟小于100 ns,保证了精确的开关控制,减少开关损耗。该芯片还内置欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在电源电压不足时误操作,提高系统的可靠性。Si8230AD-B-IS的高共模瞬态抗扰度(CMTI)>50 kV/μs,使其在高噪声环境中依然能够保持信号完整性。该芯片的宽工作温度范围(-40°C至+125°C)适用于工业级应用。最后,Si8230AD-B-IS采用8引脚SOIC封装,便于PCB布局并节省空间。

应用

Si8230AD-B-IS适用于多种高电压和高频率的应用场景。常见应用包括DC-DC转换器、电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化控制系统。其高隔离耐压和强驱动能力使其成为需要高可靠性和高效率的功率转换系统的理想选择。

替代型号

Si8233BD-C-IS, Si8235BB-C-ISR

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SI8230AD-B-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE