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SI8230AB-D-IS1R 发布时间 时间:2025/8/21 20:35:48 查看 阅读:17

SI8230AB-D-IS1R 是 Silicon Labs(芯科科技)公司推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片。该芯片采用了Silicon Labs专利的数字隔离技术,能够提供高隔离耐压能力和出色的抗干扰性能,广泛应用于工业自动化、电源管理和电机控制等领域。该器件采用紧凑的封装形式,适合在高噪声环境中驱动功率MOSFET或IGBT器件。SI8230AB-D-IS1R具备高共模瞬态抗扰度(CMTI)和短传播延迟,能够确保在高频开关应用中的稳定性和可靠性。

参数

类型:双通道隔离式栅极驱动器
  输入电源电压范围:2.5V 至 5.5V
  输出驱动电压范围:最高可达30V
  最大峰值输出电流:±4.0A(典型值)
  传播延迟:最大75ns
  脉宽失真:最大5ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>100kV/μs
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离耐压:5kVRMS(符合UL1577标准)
  封装类型:8引脚SOIC宽体封装
  认证标准:UL、CSA、IEC 60747-5-2、IEC 61010

特性

SI8230AB-D-IS1R 是一款基于数字隔离技术的高性能双通道栅极驱动器。该芯片的输入端兼容多种逻辑电平(包括2.5V、3.3V和5V),使其能够与各种控制器(如MCU或DSP)无缝连接。其两个独立的输出通道可分别驱动上桥臂和下桥臂的功率开关器件,支持半桥和全桥拓扑结构。芯片内置的高耐压隔离层确保输入与输出之间的电气隔离,增强了系统的安全性。此外,SI8230AB-D-IS1R具有出色的共模瞬态抗扰度(CMTI)性能,使其在高噪声环境中依然能够保持稳定工作。
  该芯片的输出级采用推挽结构,能够提供高达±4.0A的峰值电流,适用于快速开关应用。传播延迟低至75ns以内,保证了精确的开关时序控制,适用于高频率开关电源设计。同时,其宽工作温度范围(-40°C至+125°C)使其适用于工业级和汽车级应用环境。
  此外,SI8230AB-D-IS1R还具备过温保护和欠压锁定(UVLO)功能,确保在异常工作条件下不会损坏功率器件。整体设计使其成为工业逆变器、电机驱动、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高可靠性应用的理想选择。

应用

SI8230AB-D-IS1R 主要用于需要高隔离性能和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括工业逆变器、电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统以及开关电源(SMPS)等。在这些应用中,SI8230AB-D-IS1R 可以高效地驱动功率MOSFET或IGBT器件,提供稳定、快速的开关控制。其高隔离耐压能力使其特别适用于高电压、高噪声环境,如工业自动化和能源管理系统。

替代型号

Si8231BB-D-ISO, Si8232BC-D-ISO, UCC21520, ADuM4223

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SI8230AB-D-IS1R参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥17.52954卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE