时间：2025/8/21 20:35:48
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SI8230AB-D-IS1R 是 Silicon Labs（芯科科技）公司推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片。该芯片采用了Silicon Labs专利的数字隔离技术，能够提供高隔离耐压能力和出色的抗干扰性能，广泛应用于工业自动化、电源管理和电机控制等领域。该器件采用紧凑的封装形式，适合在高噪声环境中驱动功率MOSFET或IGBT器件。SI8230AB-D-IS1R具备高共模瞬态抗扰度（CMTI）和短传播延迟，能够确保在高频开关应用中的稳定性和可靠性。
类型：双通道隔离式栅极驱动器
输入电源电压范围：2.5V 至 5.5V
输出驱动电压范围：最高可达30V
最大峰值输出电流：±4.0A（典型值）
传播延迟：最大75ns
脉宽失真：最大5ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100kV/μs
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
隔离耐压：5kVRMS（符合UL1577标准）
封装类型：8引脚SOIC宽体封装
认证标准：UL、CSA、IEC 60747-5-2、IEC 61010
SI8230AB-D-IS1R 是一款基于数字隔离技术的高性能双通道栅极驱动器。该芯片的输入端兼容多种逻辑电平（包括2.5V、3.3V和5V），使其能够与各种控制器（如MCU或DSP）无缝连接。其两个独立的输出通道可分别驱动上桥臂和下桥臂的功率开关器件，支持半桥和全桥拓扑结构。芯片内置的高耐压隔离层确保输入与输出之间的电气隔离，增强了系统的安全性。此外，SI8230AB-D-IS1R具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）性能，使其在高噪声环境中依然能够保持稳定工作。
该芯片的输出级采用推挽结构，能够提供高达±4.0A的峰值电流，适用于快速开关应用。传播延迟低至75ns以内，保证了精确的开关时序控制，适用于高频率开关电源设计。同时，其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。
此外，SI8230AB-D-IS1R还具备过温保护和欠压锁定（UVLO）功能，确保在异常工作条件下不会损坏功率器件。整体设计使其成为工业逆变器、电机驱动、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高可靠性应用的理想选择。
SI8230AB-D-IS1R 主要用于需要高隔离性能和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括工业逆变器、电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统以及开关电源（SMPS）等。在这些应用中，SI8230AB-D-IS1R 可以高效地驱动功率MOSFET或IGBT器件，提供稳定、快速的开关控制。其高隔离耐压能力使其特别适用于高电压、高噪声环境，如工业自动化和能源管理系统。
Si8231BB-D-ISO, Si8232BC-D-ISO, UCC21520, ADuM4223
