时间：2025/12/27 6:49:02
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Si8220DB-D-IS是Silicon Labs（芯科科技）推出的一款高性能双通道数字隔离器，广泛应用于需要高可靠性和高抗噪能力的工业、电源和通信系统中。该器件采用Silicon Labs专有的CMOS工艺与电容隔离技术，提供出色的电气隔离性能和长期可靠性。Si8220DB-D-IS支持双通道同向信号传输，适用于驱动IGBT、MOSFET或SiC/GaN功率器件的栅极驱动电路。其设计旨在替代传统的光耦合器，在尺寸、功耗、速度和寿命方面具有显著优势。该芯片具备高工作电压、高共模瞬态抗扰度（CMTI）以及宽温度范围运行能力，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。此外，Si8220DB-D-IS符合国际安全标准，如UL、VDE和CSA等，支持高达5000VRMS的隔离耐压，适合用于要求功能隔离或增强隔离的应用场景。器件采用小型化8引脚DIP封装，便于PCB布局并节省空间。由于其集成度高且无需外部偏置元件，简化了系统设计流程。
制造商：Silicon Labs
产品系列：Si8220
类型：数字隔离器
通道数：2（双通道）
方向：双向同向（默认为单向）
数据速率：150 Mbps
隔离电压：5000 VRMS
工作电压范围（VDD）：2.7V 至 5.5V
逻辑侧供电电压：3.3V / 5V 兼容
输出驱动能力：1.5A 峰值输出电流
传播延迟：45ns（典型值）
脉冲宽度失真：3ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：100 kV/μs（最小值）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8-DIP（宽体SOIC）
安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10
Si8220DB-D-IS采用Silicon Labs先进的电容隔离技术，通过在硅芯片上构建高介电强度的二氧化硅（SiO2）层作为隔离屏障，实现输入与输出之间的电气隔离。这种结构相比传统光耦中的LED和光电晶体管组合，具有更长的使用寿命和更高的稳定性，不会因时间推移或高温导致性能衰减。其双通道配置支持高速数据传输，最高可达150 Mbps，能够满足现代高频开关电源、电机控制和太阳能逆变器对实时性的严格要求。每个通道均具备低传播延迟（典型45ns）和极低的通道间延迟匹配，确保多相系统中信号同步精度。此外，该器件拥有卓越的共模瞬态抗扰度（CMTI），最低达100 kV/μs，可在高噪声环境下防止误触发，保障系统的安全运行。
该芯片的工作电压范围宽泛（2.7V至5.5V），支持3.3V和5V逻辑电平兼容接口，方便与各种微控制器、DSP或FPGA直接连接，无需额外电平转换电路。内置故障保护机制，包括欠压锁定（UVLO）和热关断功能，提升了系统鲁棒性。器件采用8引脚宽体DIP封装，爬电距离和电气间隙满足增强隔离要求，适用于需要基本隔离或增强绝缘等级的设计。符合多项国际安全标准，包括UL 1577、IEC/EN 60747-5-5以及VDE 0884-10等，已通过认证测试，可帮助客户加快产品上市进程。同时，其无铅环保设计符合RoHS指令要求，适合绿色电子产品制造。由于集成度高，外围元件极少，有助于降低整体BOM成本并提高系统可靠性。
Si8220DB-D-IS主要用于需要电气隔离的高性能工业和电力电子系统中。常见应用包括工业自动化设备中的PLC模块、伺服驱动器和变频器，用于隔离控制信号与高压功率部分。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器、AC-DC整流器和隔离型电源模块的反馈或驱动信号隔离单元。在新能源领域，该器件广泛应用于光伏逆变器、储能系统和电动汽车车载充电机（OBC）中，用于隔离MCU发出的PWM信号与高压侧的功率开关器件（如IGBT或SiC MOSFET）。此外，在电机驱动系统中，Si8220DB-D-IS可用于隔离微处理器与半桥/全桥拓扑结构中的高端和低端栅极驱动器，有效防止高压干扰影响控制端。医疗电子设备中也采用此类隔离器以满足严格的电气安全规范。由于其高CMTI和宽温度范围特性，特别适合部署在存在剧烈电压波动和强电磁干扰的严苛工业现场环境。其紧凑的封装形式还使其适用于空间受限但需高可靠隔离解决方案的设计场景。
SI8220BB-D-ISR
SI8220AB-D-ISM
