时间：2025/5/24 14:07:20
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SI7892ADP-T1-E3是来自Skyworks公司的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，广泛应用于各种电源管理场景，如负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路等。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
该MOSFET的额定电压为30V，适用于中低压应用场合，并且具备出色的热性能和电气性能。通过优化设计，SI7892ADP-T1-E3能够在高频工作条件下提供高效的功率传输和较低的能量损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压：30V
最大栅源极电压：±8V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：6.8nC
总电容（输入/输出/反向传输）：3.5pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN2020-8
SI7892ADP-T1-E3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 小尺寸DFN2020-8封装，节省PCB空间。
4. 高度可靠的性能表现，在极端温度范围内保持稳定工作。
5. 具备出色的抗静电能力（ESD防护），确保在生产和使用过程中的安全性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
此外，该器件经过严格的质量测试，能够满足汽车级和工业级应用的需求。
SI7892ADP-T1-E3适合用于以下应用场景：
1. 消费电子设备中的负载开关和电源管理模块。
2. 便携式设备的电池保护和充电管理电路。
3. DC-DC转换器和POL（Point of Load）调节器。
4. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
5. 汽车电子系统的电源管理和驱动电路。
6. 高效能要求的通信基础设施中的功率分配网络。
由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，这款MOSFET成为众多现代电子设计的理想选择。
SI7891ADP-T1-E3
SI7893ADP-T1-E3
SiS822ADP
