SI7888 时间：2025/4/28 20:13:14 阅读：22

SI7888 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关应用。其出色的开关特性和热性能使其成为电源管理、电机控制和负载切换等领域的理想选择。
　　SI7888 采用先进的制造工艺，能够提供更高的功率密度和更小的体积，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而提高系统整体效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：35A
　　导通电阻（典型值）：1.2mΩ
　　栅极电荷：49nC
　　总电容：1250pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-263 (DPAK)

特性

SI7888 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，确保在高电流应用中实现高效转换和更低的功耗。
　　2. 高额定电流能力，支持大功率负载的应用需求。
　　3. 超低栅极电荷设计，优化了开关速度和效率，减少了开关损耗。
　　4. 较宽的工作温度范围，适应极端环境条件下的稳定运行。
　　5. 紧凑型 DPAK 封装，简化 PCB 布局并降低散热要求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

SI7888 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
　　2. 工业电机驱动和逆变器控制电路。
　　3. 汽车电子设备，如启动停止系统和电动助力转向系统。
　　4. 多种负载切换和保护电路，例如电池管理系统 (BMS)。
　　5. 高效能源转换和功率分配网络。
　　6. 工业自动化及家用电器中的功率级控制模块。