时间：2025/6/22 13:06:41
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SI7882DP 是一款由 Silicon Labs 公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其设计优化了功率密度和热性能，适合用于工业、消费电子以及通信领域中的电源管理。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：DPAK（TO-263）
SI7882DP 的主要特点是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功耗并提高效率。
其次，它的高栅极电荷效率确保了快速开关操作，从而减少了开关损耗。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
DPAK 封装提供了良好的散热性能，进一步增强了其在高功率环境下的适用性。
SI7882DP 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电信和网络设备的电源管理模块中。
其高电流处理能力和低导通电阻使其成为高性能开关模式电源的理想选择。
同时，它也可以用在电池管理系统、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
SI7892DP, IRFZ44N, AO3443
