时间：2025/5/30 19:02:18
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SI7880DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于高效能的电源管理和信号切换应用。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，能够提供出色的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：129nC
总电容：1480pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI7880DP-T1-GE3 利用 Vishay 的 TrenchFET 技术，在不影响可靠性的情况下实现了更低的导通电阻和更小的封装尺寸。这使得它在高功率密度设计中表现出色。此外，其超低的导通电阻有助于减少功耗并提高系统效率。
该 MOSFET 的快速开关能力使其非常适合高频应用，并且能够在高负载条件下保持较低的温升。其坚固的设计和宽泛的工作温度范围也保证了它在各种恶劣环境下的稳定性。
典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及分布式电源系统等。
SI7880DP-T1-GE3 主要用于需要高效能功率转换和信号控制的场合。常见的应用领域包括：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备中的负载切换
- 汽车电子系统中的功率管理
由于其出色的热性能和电气特性，这款 MOSFET 在汽车级和工业级产品中都有广泛的应用。
SI7874DP, IRF7874, FDMC8800
