时间：2025/6/18 19:49:28
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SI7658ADP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为 Tiny SOT-23 (SC-59)，非常适合空间受限的应用场景。
这款 MOSFET 主要用于负载切换、DC/DC 转换器、电源管理模块以及电池供电设备中。凭借其高效率和紧凑尺寸，SI7658ADP-T1-GE3 成为便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：4nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：Tiny SOT-23 (SC-59)
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
SI7658ADP-T1-GE3 采用了先进的 TrenchFET 第三代技术，能够提供更低的导通电阻和更高的效率。其典型导通电阻仅为 75mΩ（在 Vgs=4.5V 的条件下），从而减少了功率损耗并提高了整体能效。
此外，该器件的栅极电荷较小（4nC），有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。由于其出色的热性能和宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），它能够在恶劣环境下保持稳定运行。
SI7658ADP-T1-GE3 的小型封装（Tiny SOT-23）使其成为设计紧凑型电子产品时的理想选择。它的低寄生电感和优化的引脚布局也有助于提高系统的可靠性和抗干扰能力。
该器件广泛应用于各种消费类和工业类电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理
2. DC/DC 转换器中的同步整流
3. 电池管理系统中的保护电路
4. 工业自动化控制中的信号切换
5. 便携式医疗设备中的高效电源转换
6. 小型家用电器中的电机驱动和电源控制
由于其高效率和紧凑尺寸，SI7658ADP-T1-GE3 特别适合对空间和功耗要求较高的应用场景。
SI7446DP, BSS138, AO3400A
