时间：2025/5/10 9:31:21
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SI7617DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装（TO-252），具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。
该 MOSFET 的设计目标是为中低压应用提供高效的开关性能，并且其出色的热特性和电气特性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：29nC（典型值）
开关速度：快速
封装类型：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI7617DN-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，适合高频开关电路。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 小巧的 DPAK 封装，节省 PCB 空间同时具备良好的散热能力。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC/DC 转换器，用于负载点转换。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电管理。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
SI7449DN, IRFZ44N, FDP5800
