时间：2025/5/8 19:49:26
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SI7615ADN-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。它适用于各种开关应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理等场景。
该 MOSFET 的封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封装，这种封装方式能够有效提高散热性能，并且支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：41A
导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：29nC
输入电容：2490pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 41A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 紧凑的封装设计，节省 PCB 布局空间。
4. 快速开关性能，减少开关损耗，适合高频电路。
5. 宽工作温度范围，确保在极端环境条件下仍能可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
4. 电池保护和负载开关。
5. 工业设备中的电源管理和配电应用。
6. 各种消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
SI7463DP, IRF7736, AO3400A
