时间：2025/4/27 16:19:07
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SI7540ADP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术。该器件主要应用于高效率、高频开关电路，具有较低的导通电阻和栅极电荷特性，有助于提高系统整体能效。
该芯片广泛适用于 DC-DC 转换器、负载点转换器（POL）、电机驱动、逆变器以及各种便携式电子设备中的开关电源应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：66nC（典型值）
总栅极电荷（Qg）：95nC（最大值）
输入电容：1050pF
功耗：25W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3 (DPAK)
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 采用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术，具备更小的封装尺寸和更高的功率密度。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少磁性元件体积。
4. 高温适应能力，能够承受高达 175℃ 的结温。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，适合工业及汽车级应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 负载点转换器（POL）
4. 电机驱动控制
5. 电池管理与保护电路
6. 工业自动化设备
7. 汽车电子系统中的功率开关
SI7446DP, IRF7738, FDN340P
