时间：2025/6/3 14:29:33
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SI7366DP-T1-GE3 是由 Vishay 推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，能够提供极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于高效能的电源管理、电机控制以及其他功率转换应用。
该器件采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式，具有较高的电流承载能力以及良好的热性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：2820pF
开关速度：快速
封装形式：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃至+175℃
SI7366DP-T1-GE3 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，同时减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 提供优异的热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
6. 支持多种功率转换拓扑，包括降压、升压、反激式转换器等。
7. 无铅且符合 RoHS 标准，环保友好。
SI7366DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. DC-DC 转换器，如降压或升压拓扑中的主开关管。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统，例如车身控制模块、启动停止系统等。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 电池管理系统中的充放电控制开关。
7. 高效 LED 驱动器中的功率开关组件。
SI7449DP, IRFZ44N, FDP17N06
