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SI7366DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 14:29:33 查看 阅读:3

SI7366DP-T1-GE3 是由 Vishay 推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术,能够提供极低的导通电阻和出色的开关性能,非常适合用于高效能的电源管理、电机控制以及其他功率转换应用。
  该器件采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式,具有较高的电流承载能力以及良好的热性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  输入电容:2820pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SI7366DP-T1-GE3 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关特性,支持高频应用,同时减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提升了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  5. 提供优异的热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
  6. 支持多种功率转换拓扑,包括降压、升压、反激式转换器等。
  7. 无铅且符合 RoHS 标准,环保友好。

应用

SI7366DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压拓扑中的主开关管。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统,例如车身控制模块、启动停止系统等。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. 电池管理系统中的充放电控制开关。
  7. 高效 LED 驱动器中的功率开关组件。

替代型号

SI7449DP, IRFZ44N, FDP17N06

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SI7366DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI7366DP-T1-GE3TR