SI7252DP 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 DPAK (TO-263),便于散热设计,适合在紧凑型电路中使用。
SI7252DP 广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、同步整流、电机驱动以及电池供电设备等场景,凭借其高效的特性和稳定性,成为许多工程师的首选。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:41A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷:82nC
输入电容:2090pF
功耗:240W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
SI7252DP 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保在高电流应用中的损耗最小化。
2. 快速开关性能,减少了开关损耗,提高了整体效率。
3. 高额定电流能力 (41A),使其能够适应广泛的功率处理需求。
4. 具备强大的热稳定性,能够在高温环境下保持正常工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 封装形式为 DPAK (TO-263),便于表面贴装及散热优化设计。
SI7252DP 在多个领域中有着广泛的应用,主要包括:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 同步整流器,用于提高整流效率。
3. DC/DC 转换器的核心组件,以实现高效的电压转换。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护元件。
5. 工业与消费类电机驱动电路中的关键功率元件。
6. 各种便携式电子设备中的电源管理单元。
SI7476DP, IRF7739, FDP027N06L