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SI7212-B-00-IV 发布时间 时间:2025/5/10 9:11:17 查看 阅读:5

SI7212-B-00-IV是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术,具有极低的导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于需要高效率和低功耗的设计中。其封装形式为PowerPAK 1212-8,支持表面贴装,适合自动化生产和紧凑型设计需求。
  这款MOSFET主要针对消费电子、通信设备和工业控制等领域中的负载开关、同步整流以及DC/DC转换等应用进行了优化。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:6.8A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  输入电容:1430pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

SI7212-B-00-IV采用了先进的TrenchFET技术,从而实现了超低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  其PowerPAK 1212-8封装不仅体积小巧,而且具备卓越的散热性能,非常适合空间受限的应用场景。
  此外,该器件还拥有快速开关能力,能够显著降低开关损耗,并在高频操作下表现出色。
  由于工作温度范围宽广,SI7212-B-00-IV能够在严苛环境下稳定运行,满足多种工业级和消费级应用的要求。

应用

该器件适用于各种电源管理相关应用,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关
  2. 便携式电子产品中的电池管理
  3. 高效DC/DC转换器中的同步整流
  4. 通信系统中的电源调节
  5. 各种工业控制及汽车电子中的功率开关

替代型号

SI7212DP, SI7420DP, Si7870DY

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SI7212-B-00-IV参数

  • 现有数量618现货
  • 价格1 : ¥15.90000带
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 技术霍尔效应
  • 单路
  • 输出类型PWM
  • 感应范围±20mT
  • 电压 - 供电1.71V ~ 5.5V
  • 电流 - 供电(最大值)560μA(标准)
  • 电流 - 输出(最大值)-
  • 分辨率-
  • 带宽300Hz
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 特性-
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3