SI7212-B-00-IV是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术,具有极低的导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于需要高效率和低功耗的设计中。其封装形式为PowerPAK 1212-8,支持表面贴装,适合自动化生产和紧凑型设计需求。
这款MOSFET主要针对消费电子、通信设备和工业控制等领域中的负载开关、同步整流以及DC/DC转换等应用进行了优化。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:6.8A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:9nC
输入电容:1430pF
工作结温范围:-55℃至175℃
SI7212-B-00-IV采用了先进的TrenchFET技术,从而实现了超低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其PowerPAK 1212-8封装不仅体积小巧,而且具备卓越的散热性能,非常适合空间受限的应用场景。
此外,该器件还拥有快速开关能力,能够显著降低开关损耗,并在高频操作下表现出色。
由于工作温度范围宽广,SI7212-B-00-IV能够在严苛环境下稳定运行,满足多种工业级和消费级应用的要求。
该器件适用于各种电源管理相关应用,包括但不限于:
1. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关
2. 便携式电子产品中的电池管理
3. 高效DC/DC转换器中的同步整流
4. 通信系统中的电源调节
5. 各种工业控制及汽车电子中的功率开关
SI7212DP, SI7420DP, Si7870DY