SI7210-B-05-IVR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的 PowerPAK SC-70-6 封装,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种功率转换和负载切换应用。其主要特点包括低栅极电荷、低漏源导通电阻 (RDS(on)) 和卓越的效率表现。
该型号特别适合于需要高效能和节省空间的设计场景,例如便携式设备中的负载开关、同步整流以及电池管理等。
型号:SI7210-B-05-IVR
封装类型:PowerPAK SC-70-6
工作电压 Vds:40V
连续漏极电流 Id:8.3A
漏源导通电阻 RDS(on):9mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
栅极电荷 Qg:4nC(最大值)
功耗 Ptot:1.3W(Ta=25°C时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装大小:1.1x1.6mm
1. 超低导通电阻:在相同封装尺寸下,SI7210-B-05-IVR 提供了极低的漏源导通电阻,从而显著降低了传导损耗,提高了系统效率。
2. 高效的开关性能:由于其低栅极电荷设计,该器件能够实现快速的开关操作,降低开关损耗并减少电磁干扰 (EMI)。
3. 小型化封装:PowerPAK SC-70-6 封装使其非常适合于紧凑型设计,同时保持了良好的散热能力。
4. 宽泛的工作温度范围:从 -55°C 到 +150°C 的宽温范围确保了其在极端环境条件下的可靠性。
5. 逻辑电平驱动兼容性:支持低至 2.5V 的栅极驱动电压,便于与现代微控制器或逻辑电路直接连接。
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. 同步整流器设计
3. 电池保护和管理系统
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SI7210DN-L, SI7210ADN, SI7210DP