SI7210-B-04-IVR是一款由Siliconix(现为Vishay旗下品牌)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TrenchFET Gen II技术,旨在提供更低的导通电阻和更高的效率,适用于多种功率转换应用。其封装形式为PowerPAK SO-8,适合表面贴装工艺。
该器件的工作电压为30V,非常适合用于低压、大电流的应用场合,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。此外,其优异的热性能和电气特性使其成为许多高效能设计的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(V_DS):30V
连续漏极电流(I_D):36A
导通电阻(R_DS(on)):1.4mΩ @ V_GS=10V
栅极电荷(Q_g):54nC
总热阻(θ_JA):45℃/W
工作结温范围(T_j):-55℃至+175℃
封装:PowerPAK SO-8
SI7210-B-04-IVR具有非常低的导通电阻,可显著减少传导损耗,从而提高系统效率。
它还具备快速开关能力,能够支持高频操作,这对于现代开关电源和电机控制应用尤为重要。
另外,由于采用了先进的TrenchFET技术,该器件在较小的芯片面积上实现了卓越的电气性能,并且拥有良好的热稳定性,可以承受较高的结温。
此MOSFET还具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗并优化整体性能。
最后,PowerPAK SO-8封装提供了出色的散热能力和坚固耐用性,使得该器件非常适合要求苛刻的工业和汽车环境。
SI7210-B-04-IVR广泛应用于需要高效功率转换的各种场景,包括但不限于:
1. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
2. 电池供电设备的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 通信电源、服务器电源及消费类电子产品中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备和电动汽车中的逆变器与控制器组件。
SI7465DP, IRF7843, FDS6680