时间：2025/5/12 19:19:54
阅读：10
SI7202-B-02-IV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有低导通电阻和出色的开关性能，适用于各种功率转换和负载切换应用。其额定电压为 20V，广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ
总栅极电荷(Qg)：23nC
输入电容(Ciss)：1190pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI7202-B-02-IV 的设计注重高效性和可靠性，以下是其主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗。
2. 高度优化的栅极电荷，确保高效的开关性能。
3. 超小型表面贴装封装，便于 PCB 布局设计。
4. 工作温度范围广，适合恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，可应对异常情况。
该 MOSFET 适用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC/DC 转换器和降压电路。
3. 电机驱动与负载切换。
4. 电池保护及充电管理。
5. 电信设备中的信号调节和功率分配。
6. 消费类电子产品中的功率管理模块。
SI7202DP, IRF7822, FDP014N06L
