时间：2025/6/16 17:15:10
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SI7201-B-85-IV是来自Skyworks公司的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的硅工艺制造，旨在提供低导通电阻和快速开关性能。它广泛适用于需要高效功率转换和开关控制的场景，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用。
这款MOSFET的设计特别适合在高频条件下运行，同时具有出色的热稳定性和耐用性，确保其能够在恶劣的工作环境中可靠运行。
最大漏源电压：85V
连续漏极电流：49A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：1820pF（典型值）
总耗散功率：30W（Tc=25°C时）
工作结温范围：-55°C至+175°C
SI7201-B-85-IV的主要特性包括低导通电阻，能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，其快速开关能力使其非常适合高频应用，而其高耐压能力则确保了其在高压环境下的可靠性。
器件采用DPAK（TO-252）封装形式，具备良好的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。该器件还具备优异的雪崩能力和抗静电能力，增强了系统的鲁棒性。
由于其优化的电气特性和坚固的设计，SI7201-B-85-IV成为了许多工业和消费类电子产品的理想选择。
该MOSFET适用于多种领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级
2. 电池管理系统中的负载开关
3. 工业设备中的电机控制
4. 汽车电子系统中的电源管理和保护电路
5. 各种便携式电子设备中的高效开关应用
其广泛的适应性和灵活性使SI7201-B-85-IV成为设计工程师在开发高性能、高效率产品时的理想选择。
SI7201DP-85-E3, SI7226DP-85-E3, IRF7725
