SI7201-B-40-IV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关应用。其出色的电气性能使其在电源管理、电机控制和其他功率转换领域中非常受欢迎。
这款 MOSFET 的封装形式为小型化的 PowerPAK? 1212-8L 封装,能够有效降低寄生电感并提高散热性能。
最大漏源电压:40V
最大连续漏极电流:1.6A
最大栅极驱动电压:±8V
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:0.6W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:PowerPAK? 1212-8L
SI7201-B-40-IV 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
4. 支持宽范围的工作温度,能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 良好的热稳定性和抗浪涌能力,确保长期使用中的稳定性。
SI7201-B-40-IV 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑及平板电脑的适配器。
3. 固态继电器和负载开关。
4. 各类便携式设备的电池管理系统。
5. 通信设备中的信号调节与功率管理。
6. LED 照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率分配。
SI7213DP, IRF7829TRPBF, FDS8935A