时间：2025/5/23 21:31:32
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SI7201-B-05-IV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻和优化的开关性能，适合高频应用场合，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。其小尺寸封装（SOIC-8）使得它非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极电荷：11nC
输入电容：1290pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOIC-8
SI7201-B-05-IV 具有超低导通电阻，能够有效降低功耗并提升系统效率。
采用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，显著改善了开关性能和热稳定性。
该器件具备高雪崩能力和鲁棒性，能够在恶劣环境下可靠运行。
支持高频开关操作，适用于需要快速切换的应用场景。
紧凑的 SOIC-8 封装设计节省 PCB 空间，同时简化散热管理。
SI7201-B-05-IV 广泛应用于各种功率转换和控制电路中，例如：
笔记本电脑及平板电脑适配器中的同步整流电路。
消费类电子产品的负载开关和保护电路。
分布式电源架构中的降压或升压转换器。
小型电机驱动器中的桥式驱动电路。
电信设备中的二次侧电源管理模块。
SI4402DY
IRLZ44N
FDP5570
AO3400
