SI7201-B-01-FVR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装,非常适合空间受限的应用场合。其低导通电阻(Rds(on))特性使其成为高效能功率管理应用的理想选择。该产品设计用于消费类电子、通信设备以及工业控制等领域,支持快速开关和高效率的电力传输。
该型号在低压驱动条件下表现尤为出色,能够显著降低功耗并提升系统整体性能。
最大漏源电压:30V
连续漏电流:2.8A
栅极阈值电压:1.1V 典型值
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(在 Vgs=4.5V 时)
总功耗:400mW
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:SOT-23
1. 极低的导通电阻确保了更少的能量损失,提升了效率。
2. 支持宽范围的工作温度,适应多种环境需求。
3. 快速开关速度有助于减少开关损耗。
4. 高可靠性设计延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 超小封装便于在紧凑型电路板上使用。
7. 在较低的栅极驱动电压下即可实现完全导通,简化了驱动电路设计。
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池供电设备中的负载开关
4. 移动设备及便携式电子产品中的功率管理
5. 工业自动化控制中的信号切换
6. 电机驱动和保护电路
7. 通信系统中的电源管理模块
SI7219DN, BSS138, AO3400